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场效应MOS管STP13NK50Z参数

PD最大耗散功率:140WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:6.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP13NK50Z是一款常用于高压开关应用的功率MOSFET。这种器件在各种应用场景中都能找到其独特的优势。以下将分别详细介绍STP13NK50Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP13NK50Z经常用于开关电源(SMPS)和电源适配器中。由于其高压和高效能的特点,使得它在变换和调节电压方面表现出色。

    2. 照明系统:在LED驱动器中,STP13NK50Z可以用来控制大功率LED的开关,从而提供稳定的电流和保护LED寿命。

    3. 电动工具:许多电动工具需要高效的电能转换,STP13NK50Z能够承受高电压并快速切换,使其成为这些设备的理想选择。

    4. 工业控制系统:在工业自动化设备中,STP13NK50Z被用于电机控制和其它高电压操作,提供稳定且可靠的性能。

    5. 家电产品:STP13NK50Z也被广泛应用于家电如洗衣机和冰箱的电路控制部分,确保高效的电能管理和控制。

    二、参数特点:

    - 高压特性:STP13NK50Z的最大漏源电压(Vds)为500V,使其适合高压应用。其额定漏源电流(Id)为13A,能够处理较大的电流负载。

    - 低导通电阻:STP13NK50Z具有低的导通电阻(Rds(on)),在最大电流下其典型值约为0.40Ω。这意味着在操作时热损耗低,效率高。

    - 快速开关速度:STP13NK50Z的栅极电荷(Qg)较低,典型值为57nC,这使其能够实现快速开关,从而减少开关损耗和提高效率。

    - 增强的热性能:STP13NK50Z具备良好的热性能,最大结温(Tj)可达150°C,能够在苛刻的环境中稳定工作。其热阻(Rth)也较低,有助于散热管理。

    - 坚固的设计:STP13NK50Z采用D2PAK封装,增强了其机械强度和耐用性。其设计能够承受瞬态高压,并具有较高的抗干扰能力。

    综上所述,STP13NK50Z由于其高压、低导通电阻、快速开关速度、良好的热性能和坚固设计,被广泛应用于各种高压和高效能的电子设备中,提供了卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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