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场效应MOS管STP13N80K5参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP13N80K5是一种高性能的N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其应用场景广泛,主要用于高压和高功率的电子设备中。以下是对STP13N80K5的应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 电源转换器:STP13N80K5常用于开关电源(Switch Mode Power Supply, SMPS)中,其高电压和高电流的特性使其适合用于各种电源转换器。这些转换器包括AC/DC转换器和DC/DC转换器,在工业、电信设备和消费电子产品中都有广泛的应用。

    2. 电机控制:在电机控制系统中,STP13N80K5被用于控制电机的启动和停止。这类应用通常需要快速开关和高效率,而STP13N80K5的低导通电阻和高开关速度恰好满足这些需求。因此,在变频器和伺服驱动器中,STP13N80K5被广泛采用。

    3. 照明系统:尤其在高效LED照明系统中,STP13N80K5发挥了重要作用。它可以用于LED驱动器,提供高效的电流控制,保证LED的稳定工作。由于其耐高压特性,STP13N80K5还适用于户外和工业照明系统。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏发电系统中,STP13N80K5被用于逆变器部分。逆变器需要将直流电转换为交流电,而STP13N80K5的高效能量转换和低损耗特性,使其成为太阳能系统的理想选择。

    5. 音频放大器:STP13N80K5也被应用于高保真音频放大器中。其高频率响应和低失真特性,使其能够提供优质的音频输出,满足高端音响设备的需求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):STP13N80K5具有低导通电阻,典型值为0.48欧姆。这意味着在导通状态下,它的能量损耗较小,能够提高整个系统的效率。

    - 击穿电压(Vds):该型号的最大击穿电压为800伏特,这使其能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高耐压能力的应用场合。

    - 电流能力(Id):STP13N80K5的连续漏极电流能力为13安培,这意味着它可以在高电流条件下长时间稳定工作,适合大功率的应用需求。

    - 栅极电荷(Qg):其栅极电荷典型值为85纳库仑,这表明它在开关过程中所需的能量较少,能够实现快速开关,提高系统的响应速度和效率。

    - 热阻(Rthj-c):STP13N80K5的结-壳热阻为0.75℃/W,这意味着它在工作过程中产生的热量能够迅速散发出去,保证了器件的稳定性和长寿命。

    综上所述,STP13N80K5凭借其低导通电阻、高击穿电压、大电流能力、低栅极电荷和良好的热管理特性,被广泛应用于电源转换、电机控制、照明系统、太阳能逆变器和音频放大器等多个领域。这些特性使得STP13N80K5在各种高性能电子设备中发挥了重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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