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场效应MOS管STP12NM60N参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.2ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP12NM60N是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要应用于电源管理和转换领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP12NM60N常用于AC-DC和DC-DC开关电源中,具有高效率和低导通电阻的特点,能有效提高电源的转换效率,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在工业和家用电器中,STP12NM60N可用作电机驱动器件,能够提供高效的电流控制,确保电机的稳定运行。

    3. 不间断电源:STP12NM60N在UPS系统中应用广泛,能够快速响应电源中断,提供稳定的电力输出,保障关键设备的正常运行。

    4. 照明系统:在LED照明和HID照明中,STP12NM60N常用于驱动电路,具备高开关速度和低热耗的特点,能够延长照明设备的使用寿命。

    5. 逆变器:STP12NM60N在太阳能光伏系统和风能发电系统中的逆变器电路中应用广泛,能够高效地将直流电转换为交流电,提升能源利用率。

    二、参数特点:

    - 耐压特性:STP12NM60N的耐压为600V,适用于高压应用场景,能够承受较高的电压应力而不易击穿。

    - 导通电阻(Rds(on):STP12NM60N的最大导通电阻为0.9Ω,在低导通电阻下能够减少功率损耗,提升整体电路效率。

    - 连续漏极电流:在25°C环境温度下,STP12NM60N的最大连续漏极电流为12A,能够提供较大的电流传输能力,适应高功率需求。

    - 栅极电荷:STP12NM60N的总栅极电荷典型值为37nC,较低的栅极电荷使其在开关时具有更快的响应速度和更低的开关损耗。

    - 热阻:STP12NM60N的结到壳热阻为1.67°C/W,具有良好的散热性能,能够在高功率密度应用中有效管理热量,确保器件稳定运行。

    综上所述,STP12NM60N凭借其优异的性能和多样化的应用场景,成为电源管理和转换领域的理想选择。其高耐压、低导通电阻、大电流传输能力和快速开关特性,使其在实际应用中表现出色,广泛应用于开关电源、电机驱动、不间断电源、照明系统和逆变器等领域。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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