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场效应MOS管STP12NB30参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:300VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP12NB30是一种高效能的N沟道功率MOSFET,主要应用于各种需要高效率、高功率的电子设备和系统。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP12NB30在电源管理系统中扮演着重要角色,尤其是在开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,能够高效地进行电能转换,减少能量损耗。

    2. 电机控制:在电机驱动应用中,STP12NB30被用于控制电机的启动和停止,调节转速和方向。其低导通电阻和快速开关特性使其成为电机控制电路中的理想选择。

    3. 照明系统:STP12NB30在高效LED照明系统中也有广泛应用,能够稳定驱动高功率LED灯,确保照明系统的稳定性和长寿命。

    4. 音频放大器:在音频放大器中,STP12NB30的高电流处理能力和低失真特性使其成为高保真音频设备的核心元件,提供清晰、无噪音的音质。

    5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STP12NB30用于电池管理和逆变器电路,确保在电源中断时依然能为重要设备提供稳定的电力供应。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(Rds(on)):STP12NB30的典型导通电阻非常低,仅为0.135欧姆,这意味着它在导通状态下的能量损耗很小,从而提高了整体电路的效率。

    - 漏极电流(Id):STP12NB30的最大连续漏极电流为12安培,这使其能够处理高电流负载,适用于需要大电流传输的应用场景。

    - 击穿电压(Vds):STP12NB30的最大漏源击穿电压为300伏特,确保其在高电压环境下依然能够稳定工作,提供可靠的电源保护。

    - 开关速度:STP12NB30具有快速的开关特性,能够在极短时间内完成导通和关断操作,这对于高频开关电路尤为重要,有助于减少开关损耗,提高系统效率。

    - 热性能:STP12NB30具有优良的热性能,能够在高温环境下稳定工作,并且其封装设计有助于散热管理,确保长时间工作时的可靠性和稳定性。

    综上所述,STP12NB30作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,在多个领域中展现出色性能。无论是在电源管理、电机控制还是照明系统中,STP12NB30都因其低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性而成为理想选择。同时,其卓越的热性能和高击穿电压确保了在苛刻环境下的稳定运行。通过上述对应用场景和参数特点的详细描述,可以看出STP12NB30在现代电子设备中占据了重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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