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场效应MOS管STP120N4F6参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0043ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP120N4F6是一款常用于多种电子和电气设备中的功率MOSFET器件,具有高效的电能转换和控制能力。下面将详细介绍STP120N4F6的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STP120N4F6在电源管理系统中广泛应用,特别是在DC-DC转换器和AC-DC适配器中。由于其低导通电阻和高电流处理能力,它能够有效提高转换效率,减少功耗。

    2. 汽车电子:在汽车电子领域,STP120N4F6常用于电动汽车的电机驱动和电池管理系统。其高电流承载能力和快速开关速度使其在电动汽车中表现出色,有助于提高车辆的动力性能和电池寿命。

    3. 工业控制设备:STP120N4F6在工业控制设备中被广泛使用,如电机控制器和变频器。它能够在高功率应用中提供稳定的性能,确保设备的高效运行。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STP120N4F6用于逆变器的功率转换部分。其高效的能量转换能力有助于提高整体系统的效率,减少能量损失。

    5. 消费电子产品:STP120N4F6也常用于各类消费电子产品中,如笔记本电脑和台式电脑的电源模块。其小体积和高效能特性,使得这些设备在有限空间内能够获得更好的性能和更长的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STP120N4F6的导通电阻非常低,典型值为0.004欧姆。这使其在导通状态下的功耗极低,提升了整体系统的能效。

    - 高电流处理能力:STP120N4F6能够处理高达120A的连续电流,适用于需要大电流传输的应用场景,如电机驱动和电源管理系统。

    - 耐高压能力:STP120N4F6的漏源极耐压(VDS)为40V,能够在较高的电压环境下稳定工作,适应多种高压应用需求。

    - 快速开关速度:STP120N4F6具有快速的开关速度,其开关时间在纳秒级。这有助于减少开关损耗,提升整体系统的效率,特别是在高频应用中表现尤为突出。

    - 热性能良好:STP120N4F6设计具有优良的热性能,热阻(Rthj-c)为0.4°C/W。这意味着它在高功率运行时能够更好地散热,保持稳定的工作温度,延长器件的使用寿命。

    综上所述,STP120N4F6凭借其出色的电气性能和多功能的应用场景,在电源管理、汽车电子、工业控制、太阳能逆变器以及消费电子等领域得到广泛应用。其低导通电阻、高电流处理能力、耐高压能力、快速开关速度和良好的热性能,使得STP120N4F6成为众多高效能电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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