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MOS管STP11NM60FDFP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA


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    STP11NM60FDFP是一种高效的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电源管理和功率转换电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP11NM60FDFP常用作主开关器件。由于其低导通电阻和高击穿电压,能够提高电源的转换效率,并在高电压应用中提供可靠的性能。

    2. 电机控制:在直流电机和步进电机的驱动电路中,STP11NM60FDFP能提供高效的电流开关能力,确保电机的平稳运行和快速响应。

    3. 不间断电源(UPS):STP11NM60FDFP在UPS系统中用于逆变器电路,能够高效地将直流电转换为交流电,保证在电网断电时持续供电。

    4. 逆变器:在光伏系统和风能系统的逆变器中,STP11NM60FDFP能够将直流电有效地转换为交流电,提高系统的整体效率。

    5. 电池管理系统(BMS):在电动汽车和储能系统中,STP11NM60FDFP用于电池保护和电流控制,确保电池的安全和高效使用。

    二、参数特点:

    1. 高击穿电压:STP11NM60FDFP的击穿电压为600V,适用于高压应用。这使其在需要高电压处理能力的场合,如电源和电机控制中,表现出色。

    2. 低导通电阻:该型号的导通电阻仅为0.38Ω(最大值),这有助于减少导通损耗,提高整个电路的效率。这一特性在高效能量转换中尤为重要。

    3. 高开关速度:STP11NM60FDFP具有快速的开关速度,能够在高频应用中提供卓越的性能。快速开关能力减少了开关损耗,使其在开关电源和逆变器中表现优异。

    4. 耐高温性能:该器件能够在高达175°C的结温下工作,具有良好的热稳定性。这使得STP11NM60FDFP在苛刻的工作环境中仍能保持可靠性能,适用于工业和汽车电子等领域。

    5. 封装类型:STP11NM60FDFP采用TO-220FP封装,具有较好的散热性能,同时提供了电气隔离,确保安全性和可靠性。

    综上所述,STP11NM60FDFP是一种高效、可靠且耐用的N沟道MOSFET,适用于各种高效能量转换和电源管理应用。无论是在开关电源、电机控制、不间断电源还是电池管理系统中,STP11NM60FDFP都能提供优异的性能,确保系统的高效和稳定运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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