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MOS管STP11NM60AFP参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:ΩVRDS(ON)ld通态电流:AVRDS(ON)栅极电压:VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA


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    STP11NM60AFP是一款广泛应用于各种电子和电力设备的N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STP11NM60AFP凭借其出色的导通电阻和开关速度,可以提高电源的转换效率并减少功率损耗。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP11NM60AFP能提供高效的电流传输,确保电机在高负载下仍能稳定运行。

    3. 逆变器:作为逆变器的核心元件之一,STP11NM60AFP在将直流电转换为交流电时,能显著提高设备的可靠性和效率。

    4. 电源管理系统:在各类电源管理系统中,STP11NM60AFP常用于控制和调节电流,以确保系统的稳定性和安全性。

    5. 消费电子:在消费电子产品如电视、音响等设备中,STP11NM60AFP被用于电源控制和信号放大,提升设备的性能和寿命。

    二、参数特点:

    - 额定电压和电流:STP11NM60AFP的额定漏源电压为600V,额定电流为11A,这使其能够在高压高流环境下稳定工作,适用于各种高功率应用。

    - 导通电阻:该器件的典型导通电阻为0.38Ω(最大值),这意味着在导通状态下,它能有效地减少电能损耗,提高效率。

    - 开关速度:STP11NM60AFP具有快速的开关特性,其开通和关断时间均较短,这对需要高频操作的电路非常重要。

    - 热性能:该器件的热阻(结到外壳)为1.1℃/W,良好的热性能使其能够在高功率密度应用中保持较低的结温,从而提高可靠性。

    - 封装形式:STP11NM60AFP采用TO-220封装,这种封装形式不仅散热性能好,而且便于安装和使用,广泛适用于各类电力电子设备。

    综上所述,STP11NM60AFP因其卓越的性能和可靠的特性,成为了许多高要求电子应用的首选器件。无论是在开关电源、电机驱动、逆变器、电源管理系统还是消费电子产品中,STP11NM60AFP都能展现出其优异的性能和稳定性,满足各种应用需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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