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场效应MOS管STP11NM80参数

PD最大耗散功率:150WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP11NM80是STMicroelectronics公司生产的一款高压功率MOSFET,具有广泛的应用场景和优越的参数特点。本文将详细介绍STP11NM80的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP11NM80在开关电源中,作为开关器件使用,其高压特性和低导通电阻使其能够高效地进行能量转换和调节,确保电源的高效稳定运行。

    2. 电机驱动:STP11NM80适用于各种电机驱动应用,特别是在工业自动化和家电设备中。它可以提供强大的驱动能力和高可靠性,确保电机的平稳运行。

    3. 照明控制:在高压照明系统中,STP11NM80用作开关元件,其高耐压特性和低开关损耗使其能够有效地控制灯光的亮度和开关。

    4. 逆变器:在太阳能光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,STP11NM80发挥重要作用。其高效的开关性能和耐用性,使逆变器能够高效地转换直流电为交流电,确保系统的可靠性和效率。

    5. 工业设备:STP11NM80广泛应用于各种工业设备,如变频器、电焊机和电池管理系统等。它能够在高压和高功率环境下稳定工作,确保设备的长时间可靠运行。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STP11NM80的最大漏源电压(Vds)为800V,能够在高压环境下稳定运行,适用于需要高电压耐受能力的应用场景。

    - 低导通电阻:该器件的典型导通电阻(Rds(on))为0.85Ω,这使得它在导通状态下能够有效降低功耗,提高系统效率。

    - 高电流能力:STP11NM80的最大漏极电流(Id)为11A,能够提供强大的电流驱动能力,适用于需要大电流输出的应用场合。

    - 快恢复二极管:该MOSFET集成了一个快恢复二极管,具有快速的恢复时间,能够减少反向恢复损耗,提高开关效率。

    - 低栅极电荷:STP11NM80的总栅极电荷(Qg)为48nC,较低的栅极电荷使其能够快速响应控制信号,减少开关延迟,适用于高频开关应用。

    综上所述,STP11NM80以其出色的性能参数和广泛的应用场景,成为电源管理和工业控制领域中不可或缺的关键器件。无论是在高效能量转换还是在高压控制中,STP11NM80都展示出了卓越的性能和可靠性,值得工程师和技术人员在相关应用中选择和信赖。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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