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场效应MOS管STP11NM60参数

PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:11AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.45ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP11NM60是一款主要用于功率开关和电源管理应用的N沟道场效应晶体管(MOSFET)。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 功率转换器:STP11NM60广泛用于开关电源的主开关,能够有效提高整体功率转换效率。

    2. 电机驱动器:作为电流控制器或电机开关装置,STP11NM60在电机控制电路中发挥重要作用。

    3. 照明应用:STP11NM60用于LED驱动器和照明系统,提供可靠的功率开关和保护功能。

    4. 工业自动化:STP11NM60在工业控制系统中,处理高功率需求和快速开关要求。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:在正常工作条件下,STP11NM60的导通电阻非常低,减少功率损耗。

    2. 高电流承受能力:设计用于处理较大电流,确保稳定工作在高电流环境中。

    3. 快速开关速度:具备快速的开关速度,适合高频率操作和快速电源转换需求。

    4. 热稳定性:能够有效散热,保持稳定的工作温度,提高设备可靠性。

    5. 安全保护特性:内置过流保护和过温保护,确保设备在异常工作条件下的安全性。

    综上所述,STP11NM60作为一款性能优越的MOSFET,广泛应用于功率转换、电机控制、照明和工业自动化领域,为工程师提供了高效能、高可靠性的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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