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场效应MOS管STP11NK40Z参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP11NK40Z是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STP11NK40Z常用于开关电源中,因其低导通电阻和高击穿电压特性,使其能够高效地转换电能。它在计算机、电信设备和工业控制系统中的开关电源应用尤为广泛。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP11NK40Z凭借其快速开关能力和高电流处理能力,可以有效地控制电机的速度和方向。它适用于电动工具、电动汽车和各种工业机械设备。

    3. 光伏逆变器:STP11NK40Z在光伏逆变器中表现出色,能够高效地转换和管理太阳能电能。其稳定的高频操作特性使其成为太阳能系统的理想选择。

    4. 不间断电源(UPS):STP11NK40Z在UPS系统中用于电池充放电控制和电力转换。其高可靠性和耐用性确保了系统在停电情况下仍能稳定供电。

    5. 电动汽车充电器:电动汽车充电器需要高效的电能转换,STP11NK40Z凭借其高电流处理能力和低损耗特点,成为电动汽车充电器中的关键组件,确保充电过程的快速和安全。

    二、参数特点:

    1. 高击穿电压:STP11NK40Z的击穿电压高达400V,能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用场景。

    2. 低导通电阻:其典型的导通电阻仅为0.39欧姆,低导通电阻意味着在高电流通过时产生的功耗较低,提高了整体效率。

    3. 大电流处理能力:STP11NK40Z能够处理高达11A的连续漏极电流,适用于需要高电流的应用,如电机驱动和开关电源。

    4. 快速开关速度:STP11NK40Z具备快速的开关速度,开关时间通常在几十纳秒级别,适合高频应用,如开关电源和光伏逆变器。

    5. 可靠性和耐用性:STP11NK40Z采用先进的制造工艺,具有高可靠性和耐用性,能够在严苛的工作环境中长期稳定运行,减少了维护和更换的频率。

    综上所述,STP11NK40Z是一款性能优异的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源和电动汽车充电器等领域。其高击穿电压、低导通电阻、大电流处理能力、快速开关速度以及高可靠性和耐用性,使其在这些应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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