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场效应MOS管STP11NB40参数

PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:10.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:5.3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP11NB40是一款常见的功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备和系统中。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STP11NB40在开关电源、DC-DC转换器和逆变器中发挥着关键作用。由于其高效的开关性能和低导通电阻,它能够有效地提高系统的能效,减少能量损耗。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,STP11NB40通常用作开关元件。它能够承受较高的电流和电压,保证电机的稳定运行,并且其快速的开关速度有助于提高电机的响应速度。

    3. 电池管理系统:STP11NB40在电池管理系统(BMS)中被用来控制充放电过程。其高耐压和低导通电阻特性使其在高功率电池应用中具有良好的性能。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能光伏系统中,STP11NB40被用于逆变器部分。它能够处理高电压和高电流,确保太阳能转换效率的最大化。

    5. 汽车电子:STP11NB40也被广泛应用于汽车电子系统,如车载电源管理和驱动系统。它的高耐压和高效性能能够满足汽车电子设备对可靠性和稳定性的要求。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(V_DS):STP11NB40的最大漏源电压为400V,这使其能够在高电压应用中安全工作。这一特性在开关电源和逆变器中尤为重要。

    - 导通电阻(R_DS(on)):STP11NB40具有较低的导通电阻,典型值为0.42Ω。这意味着在导通状态下,电流通过器件时的能量损耗较低,有助于提高整个系统的效率。

    - 最大漏极电流(I_D):STP11NB40的最大漏极电流为11A,使其能够处理较高的电流负载。这个特点在电机驱动和高功率电源管理应用中尤为重要。

    - 栅极阈值电压(V_GS(th)):STP11NB40的栅极阈值电压在2V到4V之间。这一参数决定了MOSFET开启所需的最小电压,较低的阈值电压有助于实现更低的控制电压。

    - 封装形式:STP11NB40采用TO-220封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适合各种工业和消费类电子应用。

    综上所述,STP11NB40凭借其高耐压、低导通电阻和高电流处理能力,在电源管理、电机驱动、电池管理、太阳能逆变器和汽车电子等领域得到了广泛应用。这些特点使其成为电力电子设备中不可或缺的重要组件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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