PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 开关电源(SMPS):STP11N65M5广泛应用于开关模式电源(SMPS)中,尤其是在需要高效能量转换的地方。由于其低导通电阻和快速开关特性,这款MOSFET在减少功率损耗和提高效率方面表现优异,非常适合用于服务器电源、工业电源和计算机电源等领域。
2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP11N65M5常用于逆变器和电机控制电路中。其高电流处理能力和耐高压特性,使其能够在高功率电机驱动中稳定运行。这些应用包括电动工具、家用电器和工业自动化设备等。
3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的能量转换器件来将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。STP11N65M5在这些应用中由于其高效、低损耗的特性,能够帮助提高整体系统的能量转换效率,是光伏逆变器中的理想选择。
4. 不间断电源(UPS):不间断电源系统需要高可靠性和高效能量转换的半导体器件。STP11N65M5凭借其高击穿电压和低导通电阻,在UPS中能够提供稳定可靠的性能,确保电力供应的连续性和稳定性。
5. 照明系统:在现代高效照明系统中,STP11N65M5也有着广泛的应用,特别是在LED驱动电路中。其高效能量转换和低损耗特性,使得LED照明系统能够更节能,并延长灯具寿命。
二、参数特点:
- 击穿电压:STP11N65M5的击穿电压高达650V,使其适用于需要高耐压的应用场景。这一高击穿电压确保了在高电压条件下,器件仍能稳定运行,不会因为电压过高而损坏。
- 导通电阻:这款MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.65Ω。这一低导通电阻在高电流传输时能够减少功率损耗,提高电路的整体效率。
- 最大漏极电流:STP11N65M5的最大漏极电流为11A,使其能够处理较大的电流负载。这一特性在需要高电流驱动的应用中非常重要,如电机驱动和开关电源。
- 栅极电荷:栅极电荷(Qg)是MOSFET开关速度的关键参数之一。STP11N65M5的典型栅极电荷为49nC,表明其具有较快的开关速度,适用于高频率开关应用。
- 热阻:该器件的热阻(RthJC)为1.67°C/W,表示其散热性能良好,能够有效地将热量传导至散热器,保证器件在高功率条件下稳定运行。
综上所述,STP11N65M5凭借其高击穿电压、低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性,成为多种高效能量转换和高可靠性应用中的理想选择。无论是在开关电源、电机驱动、光伏逆变器、不间断电源,还是在现代高效照明系统中,STP11N65M5都能够提供优异的性能和可靠性。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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