PD最大耗散功率:200WID最大漏源电流:110AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.0065ΩVRDS(ON)ld通态电流:55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.5~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备:STP110N8F6 在通信设备中用于功率开关和电源管理,保护设备免受电压尖峰和电流冲击的影响。
2. 汽车电子:在电动汽车的电动驱动系统中,STP110N8F6 用作关键的功率开关元件,实现电能转换和驱动电机控制。
3. 工业自动化:在工业控制系统中,STP110N8F6 可用于电机驱动、照明控制和温度控制等各种应用。
4. 医疗设备:用于医疗成像设备、生命支持系统等医疗设备中,STP110N8F6 确保系统稳定运行和安全性能。
二、参数特点:
1. 低导通电阻:STP110N8F6 具有较低的导通电阻,提高了功率转换效率和能量利用率。
2. 高电流承受能力:该器件具有较高的电流承受能力,适用于需求较大功率输出的应用场景。
3. 快速开关特性:STP110N8F6 具有快速的开关特性,有助于提高系统的响应速度和稳定性。
4. 高温工作能力:该器件能够在高温环境下稳定工作,具有良好的热稳定性和耐高温性能。
5. 可靠性和稳定性:STP110N8F6 经过严格的可靠性测试和质量控制,确保系统长时间稳定运行,降低维护成本和风险。
综上所述,STP110N8F6 作为一款性能优异的功率MOSFET晶体管,广泛应用于各种领域的功率控制和转换应用中,并且具有低导通电阻、高电流承受能力、快速开关特性、高温工作能力以及可靠性稳定性等突出的参数特点。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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