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场效应MOS管STP10P6F6参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.18ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP10P6F6是一种N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括电源管理、直流电机驱动、负载开关、逆变器、照明系统等。其出色的电性能和稳健的设计使其在各种电子和电气系统中广泛应用。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源和电池管理系统中,STP10P6F6能够高效地控制电流和电压,确保系统的稳定运行。其低导通电阻和快速开关速度使其在高频操作下表现出色,减少了能量损耗和热量积累。

    2. 直流电机驱动:在直流电机驱动电路中,STP10P6F6通过调节电机的电流和电压来控制其速度和扭矩。其高脉冲电流能力和低栅极电荷特点,使其能够有效地应对电机启动和停止时的瞬态电流需求。

    3. 负载开关:STP10P6F6适用于各种负载开关应用,如电子控制模块和电源分配系统。其高耐压和低导通电阻特性确保了在高功率负载下的可靠性能,同时其低栅极电荷减少了开关损耗。

    4. 逆变器:在太阳能和风能逆变器中,STP10P6F6用于直流到交流的转换过程。其高效的开关性能和耐高温能力确保了逆变器在恶劣环境下的稳定运行,提高了整个系统的能效。

    5. 照明系统:在LED照明驱动电路中,STP10P6F6通过调节电流来控制LED的亮度和颜色。其高开关速度和低损耗特点使其在高频调光应用中表现优异,延长了LED的使用寿命。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:STP10P6F6的典型导通电阻(RDS(on))仅为60毫欧(VGS=10V),这意味着它在导通状态下具有极低的电阻,从而减少了功率损耗和热量生成。

    - 漏源电压:该型号的最大漏源电压(VDS)为60V,适用于中低压电源和负载控制应用。其高耐压特性确保了在高电压条件下的稳定性能。

    - 栅极电荷:STP10P6F6的总栅极电荷(Qg)仅为27纳库伦(VGS=10V),这使得其在高频开关应用中具有较低的驱动损耗,提高了整体效率。

    - 脉冲电流:其最大脉冲电流(IDM)可达40A,能够承受短时的大电流冲击,适合用于需要高瞬态电流的应用,如电机驱动和负载开关。

    - 工作温度范围:STP10P6F6的工作结温范围为-55°C至+175°C,具有广泛的工作温度范围,能够在极端环境下稳定工作,适应各种严苛的应用场景。


    综上所述,STP10P6F6凭借其卓越的电性能和多功能性,成为了许多电子和电气工程师的首选元件。在各种应用中,STP10P6F6不仅提高了系统的效率和可靠性,还简化了设计和制造过程。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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