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MOS管STP10NA40FI参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:6AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:225~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP10NA40FI是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和可靠性的电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STP10NA40FI被用作高频开关元件,提供高效的电能转换和低导通损耗。其快速的开关速度和低导通电阻使其成为高频开关应用的理想选择。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STP10NA40FI能够处理高电流和高电压,使其适用于直流电机和无刷电机的控制。它的耐用性和高效率帮助减少系统的功耗和热量产生。

    3. 不间断电源(UPS):UPS系统需要稳定可靠的电源管理,STP10NA40FI在这种应用中提供了高效的电力转换和保护功能,确保在电源中断时能迅速切换到备用电源。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STP10NA40FI用于将直流电转换为交流电。其高效能和低损耗特性有助于提高整体系统的能效,并减少热量积累。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STP10NA40FI可以用于电源管理和控制单元中,提供高效的电力转换和稳定的性能,满足汽车环境中对电子元件高可靠性的需求。

    二、参数特点:

    - 最大漏极电流(ID):STP10NA40FI的最大漏极电流为10A,使其能够在高电流应用中稳定运行。

    - 最大漏源电压(VDS):该型号的最大漏源电压为400V,适用于高电压应用场景,确保在高压条件下的可靠性。

    - 导通电阻(RDS(on)):STP10NA40FI的导通电阻非常低,仅为0.55Ω(在10V栅极驱动电压下)。低导通电阻意味着在导通状态下损耗较低,从而提高了整体系统的效率。

    - 栅极电荷(Qg):该器件的总栅极电荷为37nC,这使得其能够在较高频率下快速开关,适合高频开关应用。

    - 热阻(RθJC):STP10NA40FI的结到外壳热阻为1.5°C/W,表明其具有良好的热管理能力,在高功率应用中能够有效散热,确保稳定运行。

    综上所述,STP10NA40FI以其高电流处理能力、高电压耐受性、低导通电阻和优良的热管理性能,在多个应用场景中展现出卓越的性能。无论是开关电源、电机驱动、不间断电源、太阳能逆变器还是汽车电子,STP10NA40FI都能提供可靠且高效的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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