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场效应MOS管STP10NM60N参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP10NM60N是一种广泛应用于各类电子电路中的N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STP10NM60N常用于开关电源电路中,作为开关元件来实现高效的电能转换。其高耐压特性和低导通电阻使其在高效能和稳定性方面表现出色。

    2. 电机驱动:在直流电机控制和驱动电路中,STP10NM60N用于调节和控制电流,确保电机在各种负载下运行稳定。它的快速开关特性有助于提高电机的响应速度和效率。

    3. 逆变器:STP10NM60N在逆变器中起着关键作用,尤其在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)中。它能够承受高电压和高电流,确保逆变器的可靠运行和高效能。

    4. 电池管理系统:在电动汽车和储能系统中,STP10NM60N用于电池管理系统,负责电流的分配和管理,确保电池的安全和寿命。

    5. 音频放大器:STP10NM60N在音频放大器电路中用于功率放大部分,提供高保真度的音频输出。其低噪声和高增益特性有助于提升音频质量。

    二、参数特点:

    - 耐压:STP10NM60N的最大耐压为600V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高压操作的应用场景。

    - 电流:STP10NM60N的最大连续漏极电流为10A,在脉冲模式下则可以承受更高的电流。这一特性使其在高电流应用中具有显著的优势。

    - 导通电阻(Rds(on):在10V栅极驱动电压下,STP10NM60N的典型导通电阻仅为0.68Ω,低导通电阻意味着更低的导通损耗,提高了电路的效率。

    - 开关速度:STP10NM60N具有快速的开关特性,其开关速度通常在几十纳秒级别,适合高频率的开关电路应用,如开关电源和逆变器。

    - 热阻:STP10NM60N的结到环境的热阻较低,通常为62.5℃/W,这有助于其在高功率应用中有效散热,确保器件的可靠性和寿命。

    综上所述,STP10NM60N凭借其高耐压、高电流、低导通电阻、快速开关和良好的散热特性,广泛应用于各类电子设备中。其在开关电源、电机驱动、逆变器、电池管理系统和音频放大器中的出色表现,使得它成为工程师们在设计高效能电路时的优选元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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