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MOS管STP10NK70ZFP-H参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:8.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:700VRDS(ON)Ω内阻:0.85ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STP10NK70ZFP-H是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于开关电源、高效直流电源转换器和负载开关等领域。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,MOSFET的开关速度和导通电阻是关键因素。STP10NK70ZFP-H具备极快的开关速度和低导通电阻,可以有效降低开关损耗,提高电源效率。

    2. 高效直流电源转换器:在直流电源转换器中,高效和稳定性至关重要。STP10NK70ZFP-H的高输入电压和低损耗特性使其成为理想选择,能够提供稳定的电源输出。

    3. 负载开关:在负载开关应用中,需要MOSFET能够承受高电压和大电流。STP10NK70ZFP-H具有较高的电流处理能力和可靠的性能,适合用于多种负载控制应用。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds):STP10NK70ZFP-H的最大漏源电压为700V,这意味着它能够在高压环境下安全工作,适用于高压开关电源和转换器。

    - 导通电阻(Rds(on):STP10NK70ZFP-H的典型导通电阻为0.85欧姆,低导通电阻能够降低导通损耗,提高整体系统的效率。

    - 最大漏极电流(Id):STP10NK70ZFP-H的最大漏极电流为10A,使其能够处理较大的电流,适合用于大功率负载开关和电源应用。

    - 栅极电荷(Qg):STP10NK70ZFP-H的典型栅极电荷为60nC,低栅极电荷使得MOSFET在高频应用中能快速切换,减少开关损耗。

    - 封装形式:STP10NK70ZFP-H采用TO-220FP封装,这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度,便于安装和应用。

    综上所述,STP10NK70ZFP-H是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,适用于多种应用场景。其卓越的电压和电流处理能力、低导通电阻以及快速开关速度使其成为开关电源、高效直流电源转换器和负载开关等应用的理想选择。无论是在高压环境还是高效能要求的系统中,STP10NK70ZFP-H都能提供稳定可靠的性能,确保系统的高效运行。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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