PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)等中,STP10NB20常用于高效能量转换和电流控制。它的低导通电阻使其能够减少功率损耗,提高电源效率。
2. 电机驱动:在直流电机驱动电路中,STP10NB20作为开关元件,能够高效地控制电机的启动和停止。其快速开关特性和高电流处理能力使其适合用于电动工具、电动汽车等领域。
3. 照明系统:在LED照明和其他高效照明系统中,STP10NB20用于驱动和调节电流,保证LED的稳定工作并提高整体系统效率。
4. 通信设备:STP10NB20在通信基站、电信设备等需要高可靠性和高效率的应用中,被广泛使用。它能够在高频操作下保持稳定的性能,从而保证通信设备的可靠运行。
5. 消费电子:在笔记本电脑、平板电脑等便携设备中,STP10NB20用于电源管理和电池保护电路,确保设备能够在不同的工作模式下高效运行并延长电池寿命。
二、参数特点:
- 耐压值(Vds):STP10NB20的漏源极耐压值为200V,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高压开关的应用场景。
- 导通电阻(Rds(on):典型值为0.27Ω,在10V栅极驱动电压下测得。低导通电阻意味着在大电流通过时功率损耗较小,提升了整体系统的能效。
- 最大漏极电流(Id):STP10NB20的最大连续漏极电流为10A,这使其能够处理较大的电流,适用于大功率应用。
- 栅极电荷(Qg):总栅极电荷为38nC,这个参数反映了MOSFET的开关速度。较低的栅极电荷有助于更快的开关速度,减少开关损耗。
- 工作温度范围:STP10NB20能够在-55°C到175°C的环境温度范围内稳定工作,具备良好的热稳定性,适应苛刻的工作环境。
综上所述,STP10NB20因其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、通信设备和消费电子等领域。其优异的性能参数确保了在各种应用场景中的高效和可靠性。
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