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场效应MOS管STP10NB20参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP10NB20是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的一种N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。这种器件因其优越的电性能和广泛的应用场景而受到工程师们的青睐。下面详细介绍STP10NB20的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)等中,STP10NB20常用于高效能量转换和电流控制。它的低导通电阻使其能够减少功率损耗,提高电源效率。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动电路中,STP10NB20作为开关元件,能够高效地控制电机的启动和停止。其快速开关特性和高电流处理能力使其适合用于电动工具、电动汽车等领域。

    3. 照明系统:在LED照明和其他高效照明系统中,STP10NB20用于驱动和调节电流,保证LED的稳定工作并提高整体系统效率。

    4. 通信设备:STP10NB20在通信基站、电信设备等需要高可靠性和高效率的应用中,被广泛使用。它能够在高频操作下保持稳定的性能,从而保证通信设备的可靠运行。

    5. 消费电子:在笔记本电脑、平板电脑等便携设备中,STP10NB20用于电源管理和电池保护电路,确保设备能够在不同的工作模式下高效运行并延长电池寿命。

    二、参数特点:

    - 耐压值(Vds):STP10NB20的漏源极耐压值为200V,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于需要高压开关的应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on):典型值为0.27Ω,在10V栅极驱动电压下测得。低导通电阻意味着在大电流通过时功率损耗较小,提升了整体系统的能效。

    - 最大漏极电流(Id):STP10NB20的最大连续漏极电流为10A,这使其能够处理较大的电流,适用于大功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):总栅极电荷为38nC,这个参数反映了MOSFET的开关速度。较低的栅极电荷有助于更快的开关速度,减少开关损耗。

    - 工作温度范围:STP10NB20能够在-55°C到175°C的环境温度范围内稳定工作,具备良好的热稳定性,适应苛刻的工作环境。

    综上所述,STP10NB20因其高耐压、低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性,被广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、通信设备和消费电子等领域。其优异的性能参数确保了在各种应用场景中的高效和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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