PD最大耗散功率:125WID最大漏源电流:10AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.55ΩVRDS(ON)ld通态电流:5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.25~3.75VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 电源管理:STP10NA40常用于开关电源(SMPS)和电源适配器中,作为主开关元件。它能够高效地转换电能,减少能量损耗,提高电源效率。
2. 电机驱动:在电机驱动系统中,STP10NA40可以用作电机控制器的关键组件。它能够承受较高的电流和电压,确保电机稳定运行,适用于电动工具、家用电器等场景。
3. 照明控制:STP10NA40在LED照明系统中也有广泛应用。它可以作为LED驱动器的核心元件,提供稳定的电流和电压,确保LED灯具的长寿命和高亮度。
4. 逆变器和变频器:STP10NA40在逆变器和变频器中用于DC-AC转换和频率调节。这些设备广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源(UPS)以及工业控制中。
5. 电池管理系统:在电池充电和管理系统中,STP10NA40可以实现高效的电流控制和保护,适用于锂电池组的充电控制、电池保护电路等应用。
二、参数特点:
- 耐压性:STP10NA40的最大漏源极电压(VDS)为400V,这使其能够在高电压应用中安全运行,适用于各种高压电源和电力转换设备。
- 导通电阻:该器件的导通电阻(RDS(on))低至0.5Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率,特别是在需要高效能量转换的应用中。
- 电流容量:STP10NA40的最大漏源极电流(ID)为10A,能够处理较大的电流负载,适合高功率设备的驱动和控制。
- 栅极电荷:STP10NA40的栅极电荷(Qg)较低,约为50nC,这使其具有较快的开关速度,适合高频开关电路,如开关电源和逆变器。
- 热特性:STP10NA40具有良好的热性能,热阻(RthJC)低至1.67°C/W。这意味着在高功率应用中,该器件能够有效散热,保证长时间稳定工作。
STP10NA40作为一种高性能的N沟道功率MOSFET,凭借其高耐压、低导通电阻、高电流容量和优良的热性能,在电源管理、电机驱动、照明控制、逆变器和变频器以及电池管理系统中都有广泛的应用前景。其出色的电气特性和可靠性使其成为各类高效能量转换和控制系统的理想选择。
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