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场效应MOS管STP10N60M2参数

PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:7.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP10N60M2是一种广泛应用于各类电子设备和电路中的N沟道功率MOSFET。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在开关电源和DC-DC转换器中,STP10N60M2被用于高效能量转换。其低导通电阻和高开关速度有助于减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 电机驱动:STP10N60M2常用于电机控制电路中,特别是直流电机和步进电机的驱动。它能提供高电流和高电压的稳定控制,使电机运行更加平稳和高效。

    3. 照明系统:在LED驱动电路中,STP10N60M2的快速开关特性使其成为高效LED驱动器的理想选择。它能够精确控制电流,从而实现稳定的光输出和高效率的能量利用。

    4. 逆变器和变频器:STP10N60M2被广泛应用于太阳能逆变器、风能变频器等可再生能源设备中。它的高耐压特性和可靠性使其在这些高功率应用中表现出色。

    5. 工业控制系统:在PLC控制系统和自动化设备中,STP10N60M2的高可靠性和耐用性使其适用于各种复杂和苛刻的工业环境。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:STP10N60M2的漏源电压(Vds)高达600V,连续漏极电流(Id)为10A,使其能够在高电压和高电流环境中稳定工作。

    - 低导通电阻:其典型导通电阻(Rds(on))仅为0.47Ω,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提高整个系统的效率。

    - 高开关速度:STP10N60M2具有极快的开关速度,这使其在高频应用中能够快速切换,从而减少开关损耗和提高效率。

    - 热特性优越:STP10N60M2具有良好的热性能,最大结温为150°C。这使其在高温环境下仍能保持可靠运行,适用于需要散热管理的应用。

    - 高耐压特性:其高耐压特性使得STP10N60M2在处理突发高压和电流冲击时表现出色,能够有效保护电路不受损坏。

    通过以上对STP10N60M2的详细介绍,可以看出其在各种电源管理、驱动控制、照明系统、逆变器和工业控制系统中都有着广泛的应用,其优秀的参数特点使其成为这些领域的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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