PD最大耗散功率:176WID最大漏源电流:100AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 通信设备: STP100N8F6 在通信设备中用于功率放大和开关控制,保障设备的高效能和可靠性。
2. 电机驱动: 作为功率开关器件,STP100N8F6 在电机驱动系统中实现电机的启停和速度控制。
3. 照明系统: LED驱动器和照明系统中需要高效率的功率开关器件,STP100N8F6 能够满足这一需求。
4. 汽车电子: 用于汽车电子控制单元(ECU)、发动机控制和电动汽车的功率逆变器等应用。
5. 太阳能逆变器: 在太阳能逆变器中,STP100N8F6 能够实现高效率的能量转换。
二、参数特点:
1. 低导通电阻: STP100N8F6 具有低导通电阻,降低能量损耗。
2. 高耐压特性: STP100N8F6 能够承受较高的漏极-源极电压,适用于高压应用。
3. 快速开关特性: 实现快速的导通和截止转换,提高能量转换效率。
4. 温度稳定性: 在不同温度下性能稳定,适用于各种环境条件。
5. 可靠性和长寿命: 具有高可靠性和长期稳定性,适用于长期工作的应用。
总的来说,STP100N8F6 是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET,在各种电子应用中都具有重要的作用。
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号