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场效应MOS管STP100N8F6参数

PD最大耗散功率:176WID最大漏源电流:100AV(BR)DSS漏源击穿电压:80VRDS(ON)Ω内阻:0.009ΩVRDS(ON)ld通态电流:50AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STP100N8F6是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),在各种电子电路中有广泛的应用场景。下面将分别介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 通信设备: STP100N8F6 在通信设备中用于功率放大和开关控制,保障设备的高效能和可靠性。

    2. 电机驱动: 作为功率开关器件,STP100N8F6 在电机驱动系统中实现电机的启停和速度控制。

    3. 照明系统: LED驱动器和照明系统中需要高效率的功率开关器件,STP100N8F6 能够满足这一需求。

    4. 汽车电子: 用于汽车电子控制单元(ECU)、发动机控制和电动汽车的功率逆变器等应用。

    5. 太阳能逆变器: 在太阳能逆变器中,STP100N8F6 能够实现高效率的能量转换。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: STP100N8F6 具有低导通电阻,降低能量损耗。

    2. 高耐压特性: STP100N8F6 能够承受较高的漏极-源极电压,适用于高压应用。

    3. 快速开关特性: 实现快速的导通和截止转换,提高能量转换效率。

    4. 温度稳定性: 在不同温度下性能稳定,适用于各种环境条件。

    5. 可靠性和长寿命: 具有高可靠性和长期稳定性,适用于长期工作的应用。

    总的来说,STP100N8F6 是一款性能稳定、可靠性高的功率MOSFET,在各种电子应用中都具有重要的作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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