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场效应MOS管STN4186D参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:70AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.015ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STN4186D是一种高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于电源管理和开关电路等领域。以下是关于STN4186D的应用场景和参数特点的详细说明。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STN4186D常用于各种电源管理系统中。它可以在高效DC-DC转换器中作为开关器件使用,能够有效提高转换效率,减少功率损耗。这使得它在笔记本电脑、台式电脑和移动设备等需要高效电源管理的电子产品中广泛应用。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统中,STN4186D用于控制电池的充放电过程。由于其低导通电阻和高电流处理能力,能够保证电池的高效充电和放电,同时减少热量产生,提高系统的整体效率和安全性。

    3. 工业自动化:STN4186D在工业自动化设备中也有重要应用。它可以用于电机驱动和控制电路中,帮助实现精准的速度和位置控制,提高工业设备的运行效率和可靠性。

    4. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑等消费电子产品中,STN4186D常用于保护电路和开关电路,确保设备在各种工作状态下的稳定性和安全性。

    5. 可再生能源系统:在太阳能和风能等可再生能源系统中,STN4186D用于逆变器和电能转换装置中,提高能源转换效率,减少损耗,确保系统的稳定运行。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STN4186D具有极低的导通电阻,典型值为13mΩ。这一特点使得它在高电流应用中能够有效降低功耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:STN4186D能够处理高达30A的连续电流,这使得它非常适合需要大电流处理能力的应用,如电动汽车和工业自动化设备。

    - 高耐压能力:STN4186D的击穿电压高达60V,能够在较高电压环境下稳定工作,适用于需要高耐压能力的应用场景。

    - 快速开关速度:STN4186D具有快速的开关速度,能够在短时间内实现从导通到关断的转换。这一特点在高频率开关电路中尤为重要,有助于提高系统的响应速度和效率。

    - 热性能优异:STN4186D具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行,减少热量产生,提高系统的可靠性。这使得它在需要高散热性能的应用中表现出色。

    STN4186D以其优异的性能特点和广泛的应用场景,成为现代电子设备和系统设计中不可或缺的重要器件。通过合理利用其特点,可以有效提升各种应用的效率和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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