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场效应MOS管STN4130参数

PD最大耗散功率:42WID最大漏源电流:20AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)Ω内阻:0.047ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STN4130是一款广泛应用于电源管理和电源逆变器领域的双极型功率MOSFET。它的参数特点和应用场景如下:

    一、应用场景:

    1. 工业电源:STN4130在工业领域被广泛用于各种类型的电源系统,如直流电源和交流电源。其高效的功率转换和优异的热稳定性使其成为工业电源系统的理想选择。

    2. 电动汽车充电器:STN4130也被用于电动汽车充电器中,因为其高功率处理能力和低导通损耗使其能够实现快速而可靠的充电过程。

    3. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,STN4130能够有效地将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供给家庭或商业用途。其高效率和稳定性确保了太阳能系统的可靠性和持久性。

    4. UPS电源系统:在不间断电源(UPS)系统中,STN4130可以用作关键的功率开关元件,确保在电网断电时向负载提供持续而稳定的电力供应。

    5. 电动工具和家用电器:由于其高功率处理能力和可靠性,STN4130也被广泛用于电动工具和家用电器中,如电动钻、吸尘器等。

    二、参数特点:

    1. 低导通压降(VDS(ON)):STN4130具有较低的导通压降,这意味着在工作状态下它能够降低功率损耗,提高效率。

    2. 高承受电压(VBR(DSS)):它具有高达数百伏特的承受电压,使其能够在各种电压条件下可靠工作,适用于不同的应用场景。

    3. 高频特性:STN4130在高频率下具有良好的性能,使其适用于需要高速开关操作的应用,如电源逆变器和变频器。

    4. 热稳定性:该器件具有优异的热稳定性,即使在高温环境下,也能保持稳定的性能,确保系统的可靠性和安全性。

    5. 封装形式:STN4130可以采用多种封装形式,如TO-220、TO-247等,以满足不同应用场景下的安装需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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