PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.745ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
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一、应用场景:
1. 开关电源:在开关电源中,STD9NM60N常被用作主开关管。由于其具有较低的导通电阻和较高的电流能力,能够有效地提升开关电源的效率并降低功耗。
2. 电机驱动:在电机驱动电路中,STD9NM60N可以用来控制电机的启停和速度调节。其高耐压和高电流能力使其非常适合在高功率电机控制中使用。
3. 逆变器:STD9NM60N广泛应用于逆变器中,尤其是在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中。其快速的开关特性有助于提高系统的转换效率。
4. LED驱动:在LED照明系统中,STD9NM60N可以作为LED驱动电路的一部分,提供稳定的电流和电压控制,从而保证LED灯的亮度和寿命。
5. 汽车电子:STD9NM60N在汽车电子设备中,如电动汽车充电器和车载电源管理系统中,也得到了广泛应用。其高可靠性和高效能使其非常适合汽车电子应用。
二、参数特点:
1. 耐压能力:STD9NM60N的漏源电压(Vds)可达600V,这意味着它可以在高电压应用中可靠运行,适用于高压开关电路。
2. 导通电阻(Rds(on):STD9NM60N的导通电阻非常低,仅为0.9欧姆(最大值),这大大降低了电路中的导通损耗,提高了整体效率。
3. 漏极电流:STD9NM60N可以承受9A的持续漏极电流,且在脉冲模式下能够承受高达36A的瞬时电流,这使其在高电流应用中具有良好的性能。
4. 栅极电荷:STD9NM60N的总栅极电荷(Qg)为24nC,这表明其开关速度快,能够在高频开关应用中表现出色。
5. 热阻:STD9NM60N的热阻从结到外壳(RthJC)为1.25℃/W,这意味着它具有良好的散热性能,能够在高功率条件下稳定工作。
综上所述,STD9NM60N是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,适用于各种需要高电压、高电流、高效率的应用场景。其卓越的参数特点使其在实际应用中表现出色,成为许多工程师的首选元件。
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