PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5.6AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:0.79ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA
立即咨询一、应用场景:
1. 电源管理系统:STD9NM40N常用于各种电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC适配器。这款MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。
2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,STD9NM40N因其出色的开关性能和耐用性而备受青睐。它能够承受高电流和高电压,确保电机运行的稳定性和可靠性。
3. 汽车电子:STD9NM40N在汽车电子中也有广泛的应用,如车载充电器和电池管理系统。其高可靠性和耐高温特性,使其能够在汽车严苛的环境下长期稳定工作。
4. 消费电子:智能手机、笔记本电脑等消费电子产品中,STD9NM40N被用于电源管理和电池保护电路。其小尺寸和高效能为这些设备的便携性和性能提升提供了保障。
5. 工业自动化:在工业自动化设备中,STD9NM40N用于各种开关电源和驱动电路,确保设备的高效运行和稳定性能。
二、参数特点:
- 低导通电阻:STD9NM40N的RDS(on)(导通电阻)非常低,仅为9mΩ(最大值),这使得在高电流情况下,导通损耗大大减少,提升了整体系统的效率。
- 高电流承载能力:STD9NM40N能够承载高达80A的连续漏极电流(ID),这对于高功率应用场景如电机驱动和大功率电源非常关键。
- 耐高压能力:该器件的漏源击穿电压(VDS)为40V,能够在较高电压应用中提供可靠的保护,避免过压损坏。
- 快速开关性能:STD9NM40N的快速开关特性使其在高频应用中表现出色,能够有效减少开关损耗和电磁干扰,提升系统的整体性能。
- 热性能优越:STD9NM40N的结温范围为-55°C至175°C,具有良好的热性能和散热能力,确保在高温环境下也能稳定运行。
综上所述,STD9NM40N以其低导通电阻、高电流承载能力、耐高压和快速开关性能,成为了电源管理、电机控制、汽车电子、消费电子和工业自动化等领域的理想选择。通过合理应用STD9NM40N,能够显著提升系统的效率和可靠性,为各种应用提供稳定的技术支持。
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