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场效应MOS管STD9N10参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD9N10是一种N沟道MOSFET晶体管,具有出色的电气性能和广泛的应用场景。本文将详细介绍STD9N10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD9N10在电源管理中起着关键作用,尤其适用于DC-DC转换器和开关电源。它可以在高效转换电压和电流的同时,确保系统的稳定性和可靠性。

    2. 汽车电子:在汽车电子中,STD9N10常用于控制电机、灯光系统和电池管理。由于其高耐压和高电流处理能力,它能够在苛刻的环境下运行,满足汽车行业对可靠性的高要求。

    3. 工业控制:STD9N10被广泛应用于工业自动化和控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)和工业机器人。其快速开关特性和低导通电阻使其在需要高效控制和节能的工业应用中占据重要地位。

    4. 消费电子:在消费电子产品中,STD9N10用于电源适配器、LED驱动电路和移动设备充电器等。这些应用需要高效率和低发热量,而STD9N10的性能正好能够满足这些需求。

    5. 可再生能源:STD9N10在太阳能逆变器和风能发电系统中也有重要应用。它能够高效处理从太阳能电池板或风力发电机输出的电能,提高整体系统的能效。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(VDS):STD9N10的最大漏源电压为100V,使其能够在高电压环境下稳定工作。这一特点特别适合高压转换和电源管理应用。

    - 最大连续漏极电流(ID):STD9N10的最大连续漏极电流为9A,意味着它可以处理大电流应用,而不会出现过热或损坏。这在需要高电流驱动的场合,如电机控制和电源开关中尤为重要。

    - 导通电阻(RDS(on)):STD9N10的导通电阻非常低,仅为0.1Ω。这使得它在开关状态下的能量损耗极小,提高了系统的整体效率。

    - 栅极电荷(Qg):STD9N10的栅极电荷为28nC,这一较低的值使得它可以快速开关,适合高频率操作的应用。这对于需要快速响应的电源管理和控制系统来说,是一个重要的优势。

    - 结温(Tj):STD9N10的最高结温为175°C,表明它能够在高温环境下稳定工作。这对于需要长时间高负荷运行的工业和汽车电子应用尤其关键。

    综上所述,STD9N10凭借其出色的电气性能和多样的应用场景,成为电源管理、汽车电子、工业控制、消费电子和可再生能源领域的重要器件。其高电压和高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性,使其在各种应用中表现出色。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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