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场效应MOS管STD95N4F3参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:80AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0085ΩVRDS(ON)ld通态电流:40AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD95N4F3是一款意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其独特的设计和性能使其在各种应用场景中广泛使用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD95N4F3常用于开关电源中,其高效的开关特性能够提高整体电源的效率,减少能量损耗,适用于各类电源适配器、充电器等。

    2. 电动工具:在电动工具中,STD95N4F3被用作控制电机的开关器件,其优异的电流处理能力和低导通电阻能够确保电动工具在高负载下的稳定运行。

    3. 电机驱动:STD95N4F3在电机驱动应用中,可以作为电机控制器的一部分,用于调节电机的启动和停止,提供平滑的运行体验,并降低电机在高速运转时的功耗。

    4. 逆变器:在太阳能逆变器和风能逆变器等领域,STD95N4F3发挥了关键作用。其高效的能量转换能力和可靠的性能,确保了逆变器在将直流电转换为交流电过程中的高效运行。

    5. 汽车电子:在汽车电子应用中,STD95N4F3被广泛用于电池管理系统和电动汽车的驱动系统中。其耐高压和高效能的特性,确保了汽车电子设备的安全性和可靠性。

    二、参数特点:

    - 额定电压和电流:STD95N4F3的最大漏源电压(V_DS)为40V,最大漏极电流(I_D)为80A,这些参数使其在处理高电流和高电压应用时表现出色。

    - 低导通电阻:STD95N4F3的导通电阻(R_DS(on))非常低,典型值为4.5毫欧(mΩ),这意味着在导通状态下电压降和功率损耗都很小,提升了整体系统的效率。

    - 快速开关速度:STD95N4F3的栅极电荷(Gate Charge, Q_g)较低,只有95nC,这使其能够实现快速的开关速度,适用于高频率的开关应用。

    - 热性能:STD95N4F3具有良好的热性能,其结点到环境的热阻(R_thJA)为62.5°C/W,能够有效地管理热量,避免器件过热,从而提高可靠性。

    - 封装类型:STD95N4F3采用了DPAK封装,这种封装形式不仅体积小,而且具有良好的散热性能和机械强度,适合紧凑型设计和高密度装配。

    综上所述,STD95N4F3是一款具有高效能和多功能性的功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电动工具、电机驱动、逆变器和汽车电子等领域。其出色的电气参数和热性能,使其成为各类高效能电子设备中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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