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场效应MOS管STD8NF25参数

PD最大耗散功率:72WID最大漏源电流:8AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:0.42ΩVRDS(ON)ld通态电流:8AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD8NF25是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,因其高效能和可靠性备受青睐。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD8NF25常用于开关电源、DC-DC转换器和电源适配器中,负责高效的电源转换和管理。其低导通电阻和快速切换特性使其能够在高频率工作下依然保持高效率。

    2. 电机驱动:在工业和家用电器中,STD8NF25用于电机控制和驱动,如风扇、电动工具和电动车的电机控制模块。其高电流处理能力和耐用性确保了设备的稳定运行。

    3. 照明系统:STD8NF25被广泛应用于LED照明系统中,特别是在需要调光功能的应用中。其快速开关速度和低热阻特性有助于提高照明系统的效率和寿命。

    4. 消费电子:在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,STD8NF25用于电池管理系统、充电器和其他电源相关电路。其小封装和高性能特性非常适合便携设备的设计需求。

    5. 汽车电子:STD8NF25也用于汽车电子系统,包括车身控制模块、信息娱乐系统和电动汽车的充电系统。其高可靠性和耐高温特性使其适合在严苛的汽车环境中使用。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD8NF25具有极低的导通电阻,典型值为0.065欧姆。这使得在高电流条件下,功率损耗较低,提高了整体系统的效率。

    - 击穿电压(VDS):STD8NF25的击穿电压为250伏,适用于需要高耐压能力的应用场景。这确保了其在高电压条件下依然能够稳定工作。

    - 最大漏极电流(ID):STD8NF25的最大漏极电流为8安培,使其能够处理较大电流,适合高功率应用。

    - 栅极电荷(Qg):STD8NF25的栅极电荷为23纳库伦(nC),保证了其在高速开关时的低损耗和快速响应特性,这对提高开关电源的效率至关重要。

    - 封装形式:STD8NF25采用DPAK封装,这种封装形式有助于散热管理,确保器件在高功率应用中能够维持低温运行,提升可靠性和寿命。

    通过上述分析可以看出,STD8NF25在不同应用场景中的出色表现和其优越的参数特点,使其成为一款广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统、消费电子和汽车电子等领域的理想功率MOSFET。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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