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场效应MOS管STD7NM80参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:6.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:1.05ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.25AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD7NM80是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力转换系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD7NM80常用于电源管理系统,如DC-DC转换器和AC-DC电源供应器。其高耐压特性和低导通电阻使其在高效能电力转换中表现优异。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动应用中,STD7NM80凭借其快速开关特性和低损耗优势,能够提高系统的效率和可靠性,广泛应用于工业自动化和家电产品中。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效且耐用的功率器件,STD7NM80在这种应用中表现出色,能够有效处理从太阳能板收集的电能,并转换成可用的交流电。

    4. 电动汽车:随着电动汽车的普及,对高效能、高可靠性的功率器件需求也在增加。STD7NM80在电动汽车的电池管理系统和驱动系统中起到了关键作用。

    5. 通信设备:在通信设备中,稳定和高效的电源管理至关重要。STD7NM80凭借其优异的电性能,广泛应用于基站、路由器和服务器等通信设备的电源模块中。

    二、参数特点:

    - 高耐压特性:STD7NM80具有高达800V的漏源极耐压能力,这使得它在高压应用中非常适用,能够承受较大的电压应力。

    - 低导通电阻:其导通电阻仅为1.6Ω,这在降低导通损耗和提高整体效率方面起到了关键作用,使其在高效能应用中表现出色。

    - 快速开关速度:STD7NM80具有快速的开关速度,能够在高频应用中有效降低开关损耗,适用于各种高频电力转换场景。

    - 热性能优越:该器件具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行,确保系统的可靠性和安全性。

    - 封装类型:STD7NM80采用TO-252封装,这种封装方式不仅节省空间,还能有效散热,提升器件的整体性能。

    综上所述,STD7NM80作为一款高性能的N沟道增强型MOSFET,凭借其卓越的电性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车和通信设备等多种应用场景中发挥着重要作用。其高耐压、低导通电阻、快速开关速度和优越的热性能使其成为电子工程师们的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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