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场效应MOS管STD7NM50N参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.78ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD7NM50N是一款性能优越的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子和电气设备中。其主要应用场景包括:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:在电源管理系统中,STD7NM50N常用于开关模式电源(SMPS)和DC-DC转换器。它能够高效地控制电流流动,减少能量损失,提高整体电源效率。

    2. 电动工具:在电动工具中,STD7NM50N被用于电机驱动电路。其低导通电阻和高开关速度确保了电动工具的高效运作和持久耐用。

    3. 家用电器:STD7NM50N在家用电器中的应用非常广泛,如洗衣机、冰箱和空调等。它在这些设备中用作功率开关,能够实现稳定和高效的功率转换。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STD7NM50N被用于控制和保护电气系统。其高可靠性和高效能使其成为汽车控制模块和电源分配系统的理想选择。

    5. 工业控制系统:在工业控制系统中,STD7NM50N被用于驱动各种工业设备,如机器人、机械臂和自动化生产线。其高电流处理能力和快速开关特性能够满足工业应用的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD7NM50N的导通电阻仅为1.3Ω(典型值),这意味着它在导通状态下能够有效降低功耗,提高系统效率。

    - 高击穿电压(VDS):STD7NM50N具有500V的高击穿电压,这使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于各种高压应用。

    - 高开关速度:STD7NM50N的快速开关特性(开关时间仅为几纳秒)使其在高频应用中表现优异,能够实现高效的电能转换和控制。

    - 低栅极电荷(Qg):STD7NM50N的栅极电荷为36nC,这使其在开关过程中消耗的能量更少,从而提高系统的整体效率。

    - 高可靠性和耐用性:STD7NM50N经过严格的测试和验证,能够在各种苛刻的环境条件下稳定运行,确保设备的长期可靠性。

    综上所述,STD7NM50N凭借其卓越的性能参数和广泛的应用场景,成为电子和电气工程中不可或缺的重要元件。其低导通电阻、高击穿电压、快速开关速度、低栅极电荷以及高可靠性等特点,使其在各种应用中均能提供优异的表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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