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场效应MOS管STD7NK40Z-1参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD7NK40Z-1是一种常见的N沟道MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中,主要应用场景包括以下几个方面:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理系统中,STD7NK40Z-1常用作开关器件,用于DC-DC转换器和AC-DC电源中。其低导通电阻和快速开关速度使其成为电源管理中的理想选择,能够提高电源转换效率和减少能量损耗。

    2. 电机驱动:STD7NK40Z-1在电机控制电路中用于驱动电机,尤其是在无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制中。其高电流承载能力和耐用性确保了电机的平稳运行和可靠的性能。

    3. 负载开关:在各种电子设备中,STD7NK40Z-1用于控制大功率负载的开关操作,例如LED照明、加热器、继电器等。其高开关速度和低导通电阻使其能够高效地控制大功率负载,减少热损耗。

    4. 电池保护电路:在便携式设备和电动工具中,STD7NK40Z-1用于电池保护电路,防止过电流、过电压等异常情况,确保电池安全和延长使用寿命。

    5. 逆变器和变频器:在逆变器和变频器应用中,STD7NK40Z-1用作功率开关器件,控制电流和电压的转换。其高效的开关特性和耐用性使其在高频率操作下表现出色,广泛应用于太阳能逆变器和工业变频器中。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:STD7NK40Z-1的导通电阻非常低,典型值为0.075Ω。这一特性使其在开关状态下能量损耗极小,提高了整体效率。

    - 耐压能力高:该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为100V,能够承受较高的电压,适用于各种高压应用场景。

    - 高电流承载能力:STD7NK40Z-1的最大漏极电流(ID)为7A,能够承载较大的电流负载,适合用于电机驱动和大功率负载控制。

    - 快速开关速度:其典型的开关时间非常短,有助于提高电路的开关效率,减少开关损耗。这一特点在高频操作中尤为重要,确保电路高效运行。

    - 热阻低:STD7NK40Z-1的结到环境热阻(RθJA)较低,为62.5°C/W,这意味着其散热性能良好,能够在高功率操作中保持较低的温升,延长器件的使用寿命。

    综上所述,STD7NK40Z-1凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,在电源管理、电机驱动、负载开关、电池保护和逆变器等应用场景中发挥着重要作用。其低导通电阻、高耐压能力、高电流承载能力、快速开关速度和良好的散热性能,使其成为各种电子电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
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