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场效应MOS管STD7N65M2参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:1.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD7N65M2是一种常见的功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:在开关电源中,STD7N65M2被广泛用于高频开关,因为它具有低导通电阻和高开关速度,能够有效提高电源的转换效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动电路中,STD7N65M2可以作为开关器件来控制电机的启停和速度调节。由于其高耐压和高电流特性,可以稳定可靠地驱动各种类型的电机。

    3. 电池管理系统:STD7N65M2常用于电池管理系统中的保护电路,确保电池在过压或过流情况下得到有效保护,从而延长电池的使用寿命。

    4. 逆变器:在逆变器中,STD7N65M2作为功率开关器件,能够将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能发电和不间断电源系统(UPS)中。

    5. 照明系统:在现代LED照明系统中,STD7N65M2作为开关元件,能够实现高效、稳定的电流驱动,提高照明设备的能效。

    二、参数特点:

    - 耐压高:STD7N65M2的漏源极耐压(Vds)高达650V,能够承受较高的电压,适用于高压应用场景。

    - 导通电阻低:其典型导通电阻(Rds(on))为1.2Ω,低导通电阻能够减少导通损耗,提高电路的整体效率。

    - 高开关速度:STD7N65M2具有较快的开关速度,能够在高频工作下保持稳定的性能,适合高频开关电源和逆变器应用。

    - 大电流能力:最大连续漏极电流(Id)为7A,能够支持大电流负载,适用于需要高电流的应用场合,如电机驱动和电池管理系统。

    - 热稳定性好:STD7N65M2具有良好的热稳定性,工作温度范围广(-55°C 至 150°C),能够在恶劣的工作环境中保持可靠的性能。

    综上所述,STD7N65M2由于其高耐压、低导通电阻、高开关速度和大电流能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统、逆变器和照明系统等多个领域。其优秀的参数特点使其在这些应用中表现出色,成为许多工程师的首选功率MOSFET器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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