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场效应MOS管STD7N60M2参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.95ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD7N60M2是一种MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有多种应用场景和参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD7N60M2常用于开关电源中,作为主要的开关元件。其高压耐受能力和低导通电阻使其在转换效率和功耗方面表现出色,适合应用于各种电源转换器和适配器中。

    2. 照明系统:在LED照明系统中,STD7N60M2被用作驱动电路的开关器件。其快速开关特性和高效能效,使得LED驱动电路能够稳定运行并保持高亮度输出,同时延长LED的使用寿命。

    3. 电动工具:STD7N60M2在电动工具的电机驱动电路中也有广泛应用。由于其能够承受较高的电压和电流,适合用于控制高速旋转的电机,确保电动工具在各种工况下的稳定运行。

    4. 太阳能逆变器:太阳能逆变器需要高效的功率转换元件,STD7N60M2正是理想的选择。其高效的电流转换能力和低损耗特性,能够最大限度地提升太阳能系统的整体效率。

    5. 工业控制:在工业控制系统中,STD7N60M2用于各种驱动和控制电路。其高可靠性和稳定性,使其在复杂的工业环境中,能够长时间无故障运行,保证生产过程的连续性和安全性。

    二、参数特点:

    - 击穿电压(BV):STD7N60M2的典型击穿电压为600V,这意味着它能够在高压环境下稳定工作,适合各种高压应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on)):其导通电阻非常低,典型值为1.2Ω,这有助于降低功率损耗,提高整体电路的效率。

    - 漏极电流(ID):STD7N60M2的最大连续漏极电流为7A,能够满足大多数中等功率应用的需求,确保电路能够处理较大的电流负载。

    - 门极电荷(Qg):其总门极电荷较低,典型值为22nC,这使得器件在开关过程中能耗较低,能够实现快速开关,提高整体系统的响应速度。

    - 热阻(RthJC):STD7N60M2的结到壳热阻为1.2°C/W,这意味着它具有良好的散热性能,能够在高功率应用中有效地管理热量,防止过热损坏。

    综上所述,STD7N60M2作为一款性能优异的MOSFET,广泛应用于开关电源、照明系统、电动工具、太阳能逆变器和工业控制等领域。其高击穿电压、低导通电阻、较大漏极电流、低门极电荷以及良好的热阻性能,使其在各种应用中表现出色,成为设计师们的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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