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场效应MOS管STD6N95K5参数

PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:1.25ΩVRDS(ON)ld通态电流:3AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    STD6N95K5是一款场效应晶体管(FET),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD6N95K5在电源管理电路中扮演着重要的角色,可用于开关电源、逆变器和稳压器等电路中。

    2. 电机驱动:作为功率晶体管,STD6N95K5能够在电机驱动系统中提供高效的功率控制,使电机运行更加稳定。

    3. 照明系统:在LED照明系统中,STD6N95K5可用于调光、电流控制和保护电路,提高照明系统的效率和可靠性。

    4. 电动车充电器:STD6N95K5可以用于电动车充电器的开关电源部分,实现高效、快速和安全的充电。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)):STD6N95K5具有较低的导通电阻,能够减少功率损耗和发热,提高系统效率。

    2. 高耐压能力:作为一款600V的功率晶体管,STD6N95K5具有良好的耐压能力,适用于各种高压应用场景。

    3. 高开关速度:STD6N95K5具有快速的开关特性,能够实现高频率的开关操作,适用于需要快速响应的电路。

    4. 可靠性:经过严格的质量控制和测试,STD6N95K5具有良好的可靠性和稳定性,适用于长期稳定运行的应用场景。

    5. 封装形式:STD6N95K5通常采用TO-252或TO-220封装,便于安装和散热,适用于各种电路板设计。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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