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场效应MOS管STD60N55参数

PD最大耗散功率:110WID最大漏源电流:65AV(BR)DSS漏源击穿电压:55VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:32AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD60N55是一款功率MOSFET,具有广泛的应用场景和突出的参数特点。下面将详细介绍它的应用场景和技术特性。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在开关电源和稳压器中,STD60N55能够有效地控制和调节电流,提高系统的效率和稳定性。

    2. 电机驱动:用于驱动各种类型的电机,包括直流电机和步进电机,通过其低开通电阻和高电流承载能力,实现高效能的电动驱动系统。

    3. LED照明:在LED驱动器中,STD60N55能够提供高效的功率转换和精确的电流控制,确保LED灯具的稳定和长寿命。

    4. 电动车充电系统:作为充电器和逆变器的关键组件,STD60N55能够处理高功率并保持低温升,提供可靠的充电效率和性能。

    5. 工业自动化:在工业控制系统中,STD60N55用于开关和调节高功率设备,确保设备的可靠性和安全性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD60N55的典型值仅为0.023欧姆,能够在开通状态下减少能量损失和热量产生,提高效率。

    - 高电流承载能力:能够承受高达60安培的最大额定电流,适合处理高功率需求。

    - 快速开关速度:具备快速的开关特性和低开关损耗,适合高频操作和精确的电源控制。

    - 优秀的热特性:有效的散热设计和低温升,确保在高负载下的稳定性和可靠性。

    - 安全可靠:具备过流保护和短路保护功能,能够在异常工况下保护电路和设备。

    通过这些优秀的特性和广泛的应用场景,STD60N55已经成为许多功率电子设计工程师和制造商首选的组件之一,为各种应用提供了可靠的功率控制和转换解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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