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场效应MOS管STD5NK50Z-1参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD5NK50Z-1是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中,主要包括电源管理、逆变器和电机驱动等领域。以下是STD5NK50Z-1的应用场景和参数特点的详细描述。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD5NK50Z-1常用于电源管理系统中,例如开关电源和DC-DC转换器。这些系统要求高效的电能转换和稳定的输出电压,STD5NK50Z-1以其低导通电阻和高开关速度,能有效提高电源的效率和性能。

    2. 逆变器:在逆变器应用中,STD5NK50Z-1能够将直流电转换为交流电,用于驱动各种电器设备。其高耐压特性和优异的热性能,使其能够在高功率和高频率操作中表现出色,确保系统的稳定性和可靠性。

    3. 电机驱动:STD5NK50Z-1在电机驱动应用中,特别是无刷直流电机(BLDC)和步进电机中,被广泛采用。其快速开关特性和低损耗,使其能够高效驱动电机,提供精确的速度和位置控制。

    4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,STD5NK50Z-1用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供家庭和工业使用。其高可靠性和长寿命特性,确保了太阳能系统的长期稳定运行。

    5. 消费电子:STD5NK50Z-1还被广泛应用于各种消费电子产品中,如电视、音响系统和电脑电源模块。其紧凑的封装和出色的电气性能,使其能够满足现代消费电子产品对高效能和小体积的要求。

    二、参数特点:

    - 导通电阻:STD5NK50Z-1的典型导通电阻为1.2Ω。这一低导通电阻特性,减少了器件在开通过程中的功率损耗,提高了整体电路的效率。

    - 耐压值:STD5NK50Z-1的漏源极耐压(Vds)高达500V,使其能够在高电压应用中可靠工作。这种高耐压特性非常适合需要处理高电压的电源转换和逆变应用。

    - 电流能力:STD5NK50Z-1的连续漏极电流(Id)为4A,脉冲漏极电流(Idm)可达16A。这一参数使其能够处理较大电流,适用于需要大电流输出的应用场景,如电机驱动和大功率逆变器。

    - 开关速度:STD5NK50Z-1具有快速开关能力,典型的上升时间和下降时间分别为10ns和20ns。这一快速开关特性减少了开关损耗,提高了电路的效率和响应速度,特别是在高频应用中表现尤为突出。

    - 封装和热性能:STD5NK50Z-1采用TO-252封装形式,具有优良的热性能,能够有效散热,减少器件温升。这种封装形式既便于安装,又有助于提高系统的整体散热能力,保证长期可靠运行。

    综上所述,STD5NK50Z-1凭借其优异的电气性能和广泛的应用场景,成为电子工程师们在设计高效电源管理系统、逆变器和电机驱动电路时的重要选择。其低导通电阻、高耐压、强电流处理能力、快速开关速度和良好的热性能,确保了其在各种严苛应用中的卓越表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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