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场效应MOS管STD5NK40Z参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:400VRDS(ON)Ω内阻:1.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD5NK40Z是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备中。它具有许多优越的参数特点,使其在不同的应用场景中表现出色。以下详细描述STD5NK40Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD5NK40Z常用于开关电源和DC-DC转换器中。这类电源设备需要高效的开关元件,而STD5NK40Z凭借其低导通电阻和快速开关速度,能够提高整个电源系统的效率和可靠性。

    2. 电机控制:在电动工具、电动车和其他需要精确控制的电机应用中,STD5NK40Z的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想的选择。它能够快速响应控制信号,确保电机运转的平稳和高效。

    3. 工业自动化:工业自动化设备,如PLC和工业控制系统,广泛使用STD5NK40Z来控制高功率负载。它的高耐压特性和稳健的设计,使其在工业环境中能够长时间稳定运行。

    4. 消费电子:在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,STD5NK40Z用于电源管理模块,提供稳定的电源输出,并帮助减少设备的功耗。

    5. 汽车电子:STD5NK40Z在汽车电子系统中用于电源控制和电机驱动,帮助提升车辆的电气性能和能效。例如,车窗电机、雨刮器电机以及车载充电器都可以使用该MOSFET来实现更高的效率和可靠性。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD5NK40Z的典型导通电阻为1.2欧姆,这意味着它在开通状态下可以提供低阻抗路径,减少功率损耗,提高系统效率。

    - 高电流处理能力:该MOSFET能够承载高达4.5A的连续漏极电流(ID),这使其在高电流应用中表现优异,适用于各种大功率负载的控制。

    - 高耐压性:STD5NK40Z的漏源击穿电压(BVDSS)为400V,这意味着它可以在高电压环境中稳定工作,广泛应用于需要高耐压的电路设计中。

    - 快速开关速度:STD5NK40Z的栅极电荷(Qg)较低,典型值为16nC,这使得它能够快速切换,适合高频开关电路。快速的开关速度有助于减少开关损耗,提高电路的整体效率。

    - 热性能优异:STD5NK40Z具有良好的热性能,其结-壳热阻(RthJC)为3.75°C/W,能够有效地散热,确保在高功率条件下稳定运行,延长器件寿命。

    综上所述,STD5NK40Z因其出色的参数特点和广泛的应用场景,被广泛应用于各种需要高效率和高可靠性的电子设备中。无论是在电源管理、电机控制、工业自动化、消费电子还是汽车电子领域,STD5NK40Z都能够提供卓越的性能,满足各种复杂应用需求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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