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场效应MOS管STD5NE10参数

PD最大耗散功率:25WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:100VRDS(ON)Ω内阻:0.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD5NE10是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍STD5NE10的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD5NE10常用于开关电源电路中。由于其低导通电阻和高开关速度,可以有效提高电源的转换效率,减少能量损耗。这在笔记本电脑、手机充电器等需要高效电能转换的设备中尤为重要。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STD5NE10能够提供高效的电流控制。其高电流处理能力和低热耗散使其非常适合用于电动车、电动工具和机器人等需要精确电流控制的场景。

    3. 光伏逆变器:STD5NE10在光伏逆变器中也有广泛应用。其高电压耐受能力和高频开关特性,使其能够有效管理光伏板输出的直流电,转换为交流电,并且保持高效率和稳定性。

    4. 负载开关:作为负载开关,STD5NE10在消费电子产品中得到了广泛应用,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。其小体积和高效率特点,使其能够在有限的空间内提供可靠的电流控制。

    5. 电池管理系统:在电池管理系统中,STD5NE10用于保护和管理电池的充放电过程。其高精度和可靠性使其能够有效延长电池寿命,保障设备的安全性,广泛应用于电动汽车、储能系统和智能家居设备中。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD5NE10具有非常低的导通电阻(RDS(on)),典型值为0.07Ω,这意味着在开通状态下它的功耗很低,有助于提高整个电路的效率和减少热量产生。

    - 高击穿电压:STD5NE10的最大漏源电压(VDSS)为100V,这使得它能够在高电压环境下稳定工作,适合用于需要高电压耐受能力的应用场景。

    - 高电流处理能力:STD5NE10的最大连续漏极电流(ID)为5A,这意味着它可以处理较大的电流负载,适用于高功率需求的电路。

    - 快速开关速度:STD5NE10的开关速度非常快,其典型的开通时间和关断时间分别为10ns和40ns,这使得它非常适合于高频开关电源和高频率的电子电路中。

    - 热性能优越:STD5NE10的结点温度最高可达150°C,同时具有较低的热阻(RθJA),这使得它在高功率、高温环境下依然能够保持良好的性能和可靠性。

    综上所述,STD5NE10作为一种高效能的N沟道功率MOSFET,凭借其卓越的电气参数和广泛的应用场景,在现代电子设备和系统中发挥着重要作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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