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场效应MOS管STD5N52U参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD5N52U是一款广泛应用于电子和电气工程领域的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET以其高效能和可靠性被广泛采用,尤其在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他高频开关应用中表现尤为突出。以下将详细介绍STD5N52U的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:STD5N52U常用于开关电源中,因其低导通电阻和快速切换特性,使其在高效能和低能耗转换中表现优越。开关电源广泛应用于计算机、电视、通讯设备和各种家用电器中,这些设备需要稳定且高效的电源管理。

    2. DC-DC转换器:在便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,STD5N52U凭借其高效率和低功耗,在这些设备的电压转换和稳定输出中起着关键作用。

    3. 电机驱动:STD5N52U在电机驱动电路中广泛应用,特别是在需要精确控制的步进电机和无刷直流电机中。其高开关速度和低导通电阻使得驱动电路能够快速响应和高效运行。

    4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,STD5N52U作为主要的开关元件,确保电源的稳定输出和高效切换,保障在断电情况下仍能提供连续的电力供应。

    5. 光伏逆变器:光伏逆变器需要将直流电转换为交流电供家庭和工业使用。STD5N52U在这种高效能转换中发挥重要作用,其高耐压和高效率特点尤为重要。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on)):STD5N52U的典型导通电阻值为1.5Ω,这使得它在导通状态下的损耗非常低,提升了整体电路的效率。

    - 漏源电压(VDSS):STD5N52U的最大漏源电压为500V,能够承受较高的电压,使其适用于高电压应用场景,如工业电源和电力转换系统。

    - 最大漏极电流(ID):STD5N52U的最大连续漏极电流为5A,适用于中等功率的电机驱动和开关电源应用,能够提供稳定的电流输出。

    - 栅极阈值电压(VGS(th)):STD5N52U的栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V,这表明它可以在相对较低的栅极驱动电压下开启,使驱动电路设计更加灵活。

    - 封装形式:STD5N52U采用TO-252封装形式,这种封装具有优良的散热性能和较小的占用空间,适用于紧凑型设计的电子设备。

    综上所述,STD5N52U凭借其出色的参数特点和广泛的应用场景,成为电子工程师们在设计高效电源管理和电机驱动系统时的理想选择。其高电压耐受性、低导通电阻和快速开关特性,使其在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、不间断电源和光伏逆变器等领域广受欢迎。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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