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场效应MOS管STD5N52K3参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:4.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:525VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD5N52K3是一种场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子设备和电路中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD5N52K3常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,负责高效的电能转换和传输。它在这些应用中能够提供快速的开关速度和低的导通电阻,从而提高电源的整体效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动控制电路中,STD5N52K3用作开关元件,控制电机的启动、停止和调速。其高效能和可靠性使其成为电动工具、家用电器和工业自动化设备中电机驱动模块的理想选择。

    3. 照明控制:STD5N52K3在LED照明驱动电路中扮演关键角色,尤其在需要调光和恒流控制的场合。它的快速响应能力和高效能确保了照明设备的稳定性和长寿命。

    4. 音频放大器:在音频放大器电路中,STD5N52K3可用于放大信号,提供高质量的音频输出。其低噪声和高线性度特性使其非常适合高保真音响系统和其他音频应用。

    5. 保护电路:STD5N52K3也被用作保护电路中的关键元件,防止过流和过压对电路的损害。它能快速响应过载情况,保护电路和设备的安全运行。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(R_DS(on)):STD5N52K3的导通电阻非常低,典型值在1.2Ω左右,这使得它在开关状态下的功率损耗极小,从而提高了整个系统的效率。

    - 最大漏源电压(V_DS):STD5N52K3能够承受高达520V的漏源电压,这使得它在高压应用场合中非常可靠,适用于需要高电压控制的电路。

    - 最大连续漏电流(I_D):在25°C环境温度下,STD5N52K3的最大连续漏电流为4.5A,这使得它适合于需要中等电流传输的应用。

    - 栅极电荷(Q_g):STD5N52K3的栅极电荷较低,约为15nC,这意味着它能够在较低的栅极驱动电压下快速开关,从而减少了开关损耗,提高了工作效率。

    - 工作温度范围:STD5N52K3的工作温度范围广泛,通常在-55°C到150°C之间,能够适应各种苛刻的工作环境,确保设备的稳定运行。

    综上所述,STD5N52K3凭借其优异的参数特点和广泛的应用场景,成为众多电子设备中不可或缺的关键元件。在电源管理、电机驱动、照明控制、音频放大器以及保护电路等领域,STD5N52K3都展示出了其卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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