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场效应MOS管STD5N20L参数

PD最大耗散功率:33WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:5VVGS(th)V开启电压:1~2.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD5N20L是一种常见的N沟道功率MOSFET,其在各种电子设备和电路中的应用广泛。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(Switching Power Supplies):STD5N20L广泛应用于开关电源中,因其低导通电阻和快速开关速度,使得电源效率得以提高。它能够在高频开关状态下稳定运行,减少能量损失并提高整体效率。

    2. 电动机驱动(Motor Drivers):在电动机驱动电路中,STD5N20L被用作开关器件,控制电动机的启停和转速调节。其高电流承载能力和耐压特性,确保了电动机在各种工作条件下的可靠性。

    3. 负载开关(Load Switches):由于其良好的导通特性和低栅极电荷,STD5N20L常用于负载开关应用。它能够在低电压下高效工作,适用于需要频繁切换的负载控制系统中,如消费电子和工业控制设备。

    4. 直流-直流转换器(DC-DC Converters):STD5N20L在DC-DC转换器中作为开关元件使用,提供高效的能量转换。其快速开关能力和低损耗特性,使得转换器能够在较宽的负载范围内保持高效率。

    5. 保护电路(Protection Circuits):STD5N20L也被用于各种保护电路中,如过流保护和短路保护。其耐高压和高电流的特性,能够有效保护电路中的其他元件,防止由于过载或短路造成的损坏。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD5N20L的典型导通电阻为0.22Ω,这意味着在导通状态下,它的功率损耗较低,有助于提高电路的整体效率,尤其是在大电流应用中。

    - 高耐压(Drain-Source Voltage, VDS):STD5N20L的漏源极电压(VDS)为200V,这使得它适用于高压应用场景,能够在较高电压环境下稳定工作。

    - 快速开关速度(Switching Speed):该器件具有快速的开关速度,典型的开关时间在几十纳秒量级,这对需要快速切换的电源管理和信号处理电路来说至关重要。

    - 栅极电荷(Gate Charge, Qg):STD5N20L的总栅极电荷(Qg)为12nC,这一参数表明其驱动功耗较低,适合用于高频应用中,有助于减少驱动电路的复杂性和能耗。

    - 功耗能力(Power Dissipation):STD5N20L的最大功耗为45W,这意味着它能够处理高功率应用中的热管理问题,在设计高效散热系统时提供了更多的灵活性。

    综上所述,STD5N20L凭借其低导通电阻、高耐压、快速开关速度、低栅极电荷和高功耗能力,成为许多电子设备和电路设计中的理想选择。无论是在开关电源、电动机驱动、负载开关、直流-直流转换器还是保护电路中,STD5N20L都展现出卓越的性能和可靠性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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