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场效应MOS管STD5N20参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD5N20是一种N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),其主要应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:在电源管理中,STD5N20常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等。这种MOSFET由于其高效能和低损耗的特点,能够有效地转换电能,提高电源系统的效率。

    2. 电机驱动:在电机驱动应用中,STD5N20由于其快速开关特性和高电流处理能力,适用于各种直流电机和步进电机的控制电路。它可以在高频率下有效工作,确保电机运转的稳定性和高效性。

    3. 照明控制:STD5N20在LED照明和其他智能照明系统中也有广泛应用。它能通过调节电流来控制LED的亮度和开关状态,从而实现智能照明控制。

    4. 电池管理:在便携设备和储能系统中,STD5N20用于电池保护和电池管理系统(BMS)。它能够高效管理电池的充放电过程,延长电池寿命,并保证系统的安全性。

    5. 汽车电子:STD5N20在汽车电子领域也有应用,包括电动助力转向系统、车载充电器和各种控制单元。这种MOSFET能够承受汽车环境中的高温和高电流,保证电子系统的可靠性。

    二、参数特点:

    1. 电压和电流特性:STD5N20的漏源极最大电压(Vds)为200V,最大持续漏极电流(Id)为5A。这使得它能处理高电压和大电流的应用,适合于电源和电机控制等高功率需求场景。

    2. 导通电阻:STD5N20的典型导通电阻(Rds(on))为1.5Ω(在Vgs = 10V时)。低导通电阻意味着在工作时产生的功率损耗较小,提高了系统的效率。

    3. 开关速度:STD5N20具有快速的开关特性,其典型的上升时间(tr)和下降时间(tf)分别为10ns和9ns。这些快速的开关时间使得它能在高频应用中有效工作。

    4. 栅极电荷:STD5N20的总栅极电荷(Qg)为20nC(在Vgs = 10V时)。较低的栅极电荷使得它在开关时需要较少的驱动能量,进一步提高了效率并减少了驱动电路的复杂性。

    5. 封装和散热:STD5N20通常采用DPAK封装,这种封装方式具有较好的散热性能,有助于在高功率应用中维持MOSFET的温度稳定。

    通过上述应用场景和参数特点的分析,可以看出STD5N20作为一种高效能的N沟道功率MOSFET,具有广泛的应用范围和优越的性能指标。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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