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场效应MOS管STD55NH2LL参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.011ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD55NH2LL是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),在各种电源管理和开关应用中广泛使用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD55NH2LL经常用于电源管理系统中,如DC-DC转换器、稳压器和电池管理系统。这款MOSFET因其低导通电阻和高效率而在这些应用中表现出色,能够有效地减少能量损耗并提高系统的总体性能。

    2. 电机驱动:在电机控制领域,STD55NH2LL能够提供高效的电流传导能力。它在电动工具、家电和工业自动化设备中的电机驱动电路中扮演重要角色。由于其优异的导通性能和快速开关能力,使得电机运行更平稳、更高效。

    3. 太阳能逆变器:STD55NH2LL在太阳能发电系统中的逆变器电路中得到广泛应用。它可以有效地处理从直流电转换为交流电的过程,保证逆变器的高效运行和长寿命。

    4. 照明系统:在现代照明系统,如LED驱动器中,STD55NH2LL被用作开关元件。它能够提供高效的电流控制和较低的热损耗,帮助实现节能环保的照明解决方案。

    5. 汽车电子:在汽车电子领域,STD55NH2LL被广泛应用于电控单元(ECU)、电动窗控制、座椅调节等系统中。它的高可靠性和低导通电阻使其在高要求的汽车环境中表现优异。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻(RDS(on)):STD55NH2LL具有非常低的导通电阻,这意味着在导通状态下电流通过时的损耗很小,从而提高了系统的效率。其典型的RDS(on)值仅为0.0095欧姆(在10V Vgs下),这在同类产品中表现出色。

    - 高击穿电压:STD55NH2LL的击穿电压为55V,这使其适用于多种高电压应用。高击穿电压确保了器件在电路中的稳定性和可靠性,避免了因过电压而导致的损坏。

    - 大电流处理能力:STD55NH2LL的连续漏极电流高达80A(在25°C下),这使其能够处理较大的电流负载,适用于需要高电流传导的应用场景。

    - 快速开关速度:STD55NH2LL具有较快的开关速度,这使得它在高频开关应用中非常理想。其典型的开关时间为15ns(上升时间)和50ns(下降时间),能够支持快速的电流切换,减少开关损耗。

    - 耐热性能:STD55NH2LL的工作结温范围为-55°C至175°C,具有良好的耐热性能。这使得它在高温环境中仍能保持稳定的性能,适用于工业和汽车等严苛的应用场景。

    综上所述,STD55NH2LL在多个领域中具有广泛的应用,其出色的电气性能和可靠性使其成为许多工程师和设计师的首选元件。在选择合适的MOSFET时,STD55NH2LL凭借其优异的参数和性能特点,提供了一个高效、可靠的解决方案。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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