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场效应MOS管STD55N4F5参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:55AV(BR)DSS漏源击穿电压:40VRDS(ON)Ω内阻:0.0085ΩVRDS(ON)ld通态电流:27.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD55N4F5是一种性能优越的功率MOSFET,其应用场景广泛,具有许多显著的参数特点。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD55N4F5在电源管理系统中有着广泛的应用,特别是在DC-DC转换器和电源开关中。其低导通电阻和高开关速度使其在这些应用中能够有效降低功率损耗,提高系统效率。

    2. 电动工具:由于STD55N4F5具有高电流承载能力和坚固的耐用性,它被广泛应用于电动工具的控制电路中。这些工具需要高效且可靠的功率管理,STD55N4F5能够满足这些需求,确保工具的稳定运行。

    3. 电动汽车:在电动汽车中,STD55N4F5被用于电机驱动和电池管理系统。其高效的能量转换能力和低导通电阻,使其成为这些高功率应用的理想选择,帮助提高电动汽车的续航能力和性能。

    4. 工业自动化:工业自动化系统中,STD55N4F5常用于驱动电机和控制阀门等设备。这些应用需要高可靠性和高效能的半导体器件,STD55N4F5能够提供稳定的性能,确保工业设备的正常运行。

    5. 家用电器:在家用电器如洗衣机、冰箱和空调中,STD55N4F5被用于控制电路和电机驱动。这些应用需要高效的能量管理,STD55N4F5的高开关速度和低损耗特性能够显著提高电器的能源效率。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:STD55N4F5的导通电阻(R_DS(on))非常低,典型值为0.0074Ω。这意味着在工作过程中,它能够显著降低功率损耗,提高系统的整体效率。

    2. 高电流承载能力:STD55N4F5的连续漏极电流(I_D)可以达到55A,这使其能够承载较大的电流,适用于高功率应用。它的脉冲漏极电流(I_DM)更是高达220A,应对瞬时大电流需求不在话下。

    3. 高耐压特性:STD55N4F5的击穿电压(V_DS)为40V,能够承受较高的电压环境。这使得它在处理高电压应用时具有很好的稳定性和安全性。

    4. 快速开关速度:STD55N4F5的开关速度非常快,其开关时间(t_on和t_off)分别为10ns和30ns。这一特点使其在高频应用中能够有效地减少开关损耗,提高系统的工作效率。

    5. 增强型安全特性:STD55N4F5具备良好的热性能和过热保护机制。其最大结温(T_j)为175°C,这使得它在高温环境下依然能够保持稳定的性能。此外,它还具备良好的ESD保护特性,能够有效防止静电损坏。

    综上所述,STD55N4F5在多种应用场景中展现了其卓越的性能,同时其丰富的参数特点使其在各类高要求的电子设备中都能够胜任。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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