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场效应MOS管STD50N03L参数

PD最大耗散功率:60WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0105ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD50N03L是一个广泛应用于电子和电气领域的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它在高效能和低功耗应用中表现出色。本文将详细介绍STD50N03L的应用场景及其参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD50N03L常用于开关电源和DC-DC转换器中。它能够高效地转换电能,减少能量损失,提高系统的整体效率。在这些应用中,MOSFET的快速开关速度和低导通电阻是关键。

    2. 电动汽车:在电动汽车的电池管理系统和动力驱动中,STD50N03L扮演着重要角色。它可以处理高电流和高电压的环境,确保电动汽车的电池和电动机稳定运行。

    3. 工业自动化:在工业控制和自动化设备中,STD50N03L用于驱动电机、控制器和其他高功率设备。其高可靠性和耐用性使其适合在苛刻的工业环境中使用。

    4. 消费电子:STD50N03L也被广泛应用于消费电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理部分。它的低功耗特性有助于延长电池寿命。

    5. 太阳能系统:在太阳能发电系统中,STD50N03L用于光伏逆变器和电池管理。它能有效地处理太阳能电池板产生的能量,确保系统的高效运行。

    二、参数特点:

    1. 导通电阻(RDS(on)):STD50N03L的典型导通电阻为0.022欧姆。这意味着在导通状态下,它能提供非常低的电阻,从而减少功率损耗,提高效率。

    2. 额定电流(ID):STD50N03L的最大连续漏极电流为50安培。这使得它能够处理大电流应用,如电动汽车和工业设备。

    3. 击穿电压(VDS):STD50N03L的漏源击穿电压为30伏特。这适用于中低压应用,确保在这些电压水平下的稳定运行。

    4. 栅极电荷(Qg):STD50N03L的总栅极电荷为32纳库仑。这一特性使得它在高速开关应用中表现优异,因为较低的栅极电荷意味着更快的开关速度。

    5. 热阻(RthJC):STD50N03L的结-壳热阻为1.5°C/W。这一参数决定了器件的散热性能,较低的热阻意味着在高功率操作下更有效的散热,确保设备稳定性。

    综上所述,STD50N03L作为一个高性能的N沟道功率MOSFET,在各种高效能和低功耗的应用中展示了其卓越的性能和可靠性。通过理解其应用场景和关键参数特点,可以更好地在实际工程项目中选择和应用STD50N03L

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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