收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 三极管 » 场效应管 » 场效应MOS管STD4NS25参数

场效应MOS管STD4NS25参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:250VRDS(ON)Ω内阻:1.1ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

立即咨询


    STD4NS25是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它在电子设备和电路设计中具有广泛的应用。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD4NS25常用于开关电源和电源管理系统中。由于其低导通电阻和高效的开关性能,它能够显著减少能量损耗,提高电源转换效率。

    2. 电机驱动器:在电机控制和驱动电路中,STD4NS25被广泛使用。其高电流处理能力和快速开关特性使其非常适合用于控制直流电机和无刷电机。

    3. 电池管理系统:STD4NS25也用于电池保护和管理电路中。其低阈值电压和高耐压特性可以有效保护电池,防止过充、过放和短路。

    4. 工业自动化设备:在工业控制和自动化设备中,STD4NS25的高耐压和高电流能力使其能够在苛刻的工作环境中稳定运行,适合用于各种工业驱动和控制系统。

    5. 消费电子产品:在电视、音响系统和计算机等消费电子产品中,STD4NS25常被用作开关和保护电路的一部分,确保设备的可靠性和性能。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD4NS25的典型导通电阻为0.055欧姆,最大值为0.07欧姆。这使得它在开关状态下能保持低功耗,减少能量损失。

    - 高耐压:STD4NS25的最大漏源电压(Vds)为250V,这使得它能够在高电压应用场景中可靠工作,如电源适配器和工业电源。

    - 高电流处理能力:STD4NS25的连续漏极电流(Id)为4A,这表明它能处理较大的电流,适合用于需要高电流传输的应用中。

    - 快速开关速度:STD4NS25具有极快的开关速度,其典型的开通时间和关断时间分别为10ns和20ns。这种快速的开关特性使其在高频开关电源中表现出色。

    - 高可靠性:STD4NS25的热阻(Rthj-amb)为62.5°C/W,这意味着它具有良好的热管理性能,能够在高温环境下稳定工作。此外,其设计和制造工艺保证了器件的长期可靠性和稳定性。

    综上所述,STD4NS25是一种性能优异的N沟道功率MOSFET,适用于各种电源管理、电机驱动、工业控制和消费电子产品中。其低导通电阻、高耐压、高电流处理能力和快速开关速度等特点,使其在电子设计中得到了广泛应用和认可。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号