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场效应MOS管STD4NK80Z-1参数

PD最大耗散功率:80WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:800VRDS(ON)Ω内阻:3.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD4NK80Z-1是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子电路中。其出色的性能和可靠性使其成为许多应用的首选。以下将详细介绍STD4NK80Z-1的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:STD4NK80Z-1常用于开关电源和电池管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力确保了电源的高效运行和稳定输出。

    2. 电机驱动:在电机控制应用中,STD4NK80Z-1能够有效地控制电机的启停和速度调节。其快速开关速度和低损耗特性使其在电机驱动中的表现尤为突出。

    3. 照明控制:STD4NK80Z-1在LED驱动和调光电路中也有广泛应用。它可以提供稳定的电流控制,保证LED的亮度和寿命。

    4. 家用电器:在家用电器如洗衣机、冰箱等设备中,STD4NK80Z-1被用于电机控制和电源管理部分,提升了设备的能效和使用寿命。

    5. 汽车电子:在汽车电子系统中,STD4NK80Z-1用于控制和管理各种电子元件,如电动窗、电动座椅和发动机管理系统。其高可靠性和耐用性满足了汽车电子的严苛要求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:STD4NK80Z-1的导通电阻非常低,通常在几毫欧姆范围内。这意味着它在导通状态下的电能损耗非常小,能够提高整体电路的能效。

    - 高击穿电压:STD4NK80Z-1具有较高的击穿电压,通常为60V。这使得它能够在较高电压环境下工作,适用于各种高电压应用。

    - 高电流能力:STD4NK80Z-1能够承载高达4A的连续电流。这使得它在需要大电流传输的应用中表现出色,如电机驱动和电源管理。

    - 快速开关速度:STD4NK80Z-1的开关速度非常快,能够在纳秒级别进行开关操作。这使得它在高频率开关电路中具有优势,如DC-DC转换器和PWM控制电路。

    - 热性能优越:STD4NK80Z-1具有良好的热性能,其热阻较低,能够有效散热,保证在高功率应用中的稳定性和可靠性。

    通过以上详细描述,可以看出STD4NK80Z-1在多个应用场景中具有出色的性能,其参数特点也使其成为功率MOSFET中的佼佼者。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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