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场效应MOS管STD4NK60Z参数

PD最大耗散功率:70WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:2AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD4NK60Z是一种N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源(SMPS):STD4NK60Z在开关电源中发挥重要作用,特别是用于高效能转换电路。由于其低导通电阻和快速切换能力,它能够有效地减少能量损失,提高转换效率。

    2. 电机控制:在电机驱动器和控制电路中,STD4NK60Z用于控制电机的启动和停止,以及调节电机的转速。其高耐压和大电流处理能力使其适合于高功率电机的控制应用。

    3. 照明系统:STD4NK60Z在LED照明驱动电路中有广泛应用。它的高效率和稳定性能可以确保LED灯具在各种环境下都能正常工作,并且延长使用寿命。

    4. 逆变器和UPS:在不间断电源(UPS)和逆变器系统中,STD4NK60Z用于DC到AC的转换。它的快速切换特性有助于实现高频切换,从而提高系统的整体效率和可靠性。

    5. 功率放大器:STD4NK60Z也常用于音频和射频功率放大器中。其良好的线性度和高耐压特性确保了信号放大的准确性和稳定性。

    二、参数特点:

    - 电压和电流能力:STD4NK60Z的主要参数包括耐压和电流能力。其最大漏源极电压(Vds)为600V,最大连续漏极电流(Id)为4A,这使其能够在高电压、大电流环境下稳定工作。

    - 导通电阻(Rds(on)):STD4NK60Z的典型导通电阻为1.6Ω,这个参数直接影响其在导通状态下的能量损失。较低的导通电阻意味着更高的效率和更低的发热量。

    - 开关速度:由于STD4NK60Z采用了先进的Trench-FET技术,它的开关速度非常快,典型的开关时间为几十纳秒。这使其在需要快速切换的应用中表现优异。

    - 热性能:STD4NK60Z具有良好的热性能,最大结温可达150°C,热阻(结到环境)为62.5°C/W。这些特性确保了器件在高温环境下依然能够可靠工作。

    - 封装:STD4NK60Z采用了常见的DPAK封装形式,这种封装具有良好的散热性能和机械强度,同时也便于自动化生产和表面贴装。

    综上所述,STD4NK60Z凭借其优异的电气性能和可靠的工作特性,广泛应用于开关电源、电机控制、照明系统、逆变器和功率放大器等多种领域。其高耐压、低导通电阻、快速开关和良好的热性能,使得它在各种应用中都能提供高效、稳定的表现。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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