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场效应MOS管STD4NK50Z-1参数

PD最大耗散功率:45WID最大漏源电流:3AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:50μA

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    STD4NK50Z-1是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD4NK50Z-1在电源管理系统中发挥着重要作用,特别是在开关电源(SMPS)中。其高效的开关性能使其能够有效地控制电源的开关过程,从而提高系统的整体效率。

    2. 工业控制:在工业控制领域,STD4NK50Z-1常用于电机驱动、PLC控制系统等应用中。其高耐压特性和低导通电阻使其能够处理高功率负载,确保系统的稳定性和可靠性。

    3. 家用电器:STD4NK50Z-1还被广泛应用于家用电器中,如微波炉、洗衣机和空调等。这些设备需要可靠的功率转换和控制能力,STD4NK50Z-1正是因其优异的电气性能而被选用。

    4. 光伏逆变器:在光伏发电系统中,STD4NK50Z-1被用于光伏逆变器的设计中。它能有效地转换太阳能板产生的直流电为交流电,并且具有高效率和长寿命的特点。

    5. 汽车电子:STD4NK50Z-1在汽车电子系统中也有广泛应用,如电动窗控制、电动座椅调节等。其高可靠性和优异的散热性能使其非常适合在汽车这种高温、高振动的环境中使用。

    二、参数特点:

    - 高耐压能力:STD4NK50Z-1的击穿电压高达500V,使其能够在高压环境中稳定工作,适用于需要高耐压特性的应用场景。

    - 低导通电阻:其典型的导通电阻为1.2Ω(VGS=10V),这意味着在同等电流下,STD4NK50Z-1的导通损耗较低,能够提高系统的效率。

    - 高开关速度:STD4NK50Z-1具有快速开关特性,最大开关时间仅为10ns左右,这使其在高频开关电路中表现出色,减少了开关损耗。

    - 热特性优越:STD4NK50Z-1的结温范围为-55°C至+150°C,能够在宽广的温度范围内保持稳定工作。其最大连续漏极电流为4A(25°C环境温度下),并具有优异的散热性能。

    - 封装形式:STD4NK50Z-1采用TO-252封装,具有良好的机械稳定性和散热能力。TO-252封装还方便安装和集成,适合各种电路设计。

    综上所述,STD4NK50Z-1凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度和优异的热特性,成为许多电源管理、工业控制、家用电器、光伏逆变器和汽车电子系统中的理想选择。其稳定可靠的性能和广泛的应用场景,使其在电子元器件市场中占据重要地位。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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