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场效应MOS管STD4NC50参数

PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:3.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    STD4NC50是一种N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:STD4NC50常用于开关电源和DC-DC转换器中。其高开关速度和低导通电阻使其在提高系统效率和减少能量损耗方面表现出色。

    2. 电动工具:在电动工具如电钻、电锯中,STD4NC50可以作为驱动电机的功率开关器件,其高电流承载能力和耐高压特性确保了电动工具的可靠运行。

    3. 家用电器:在洗衣机、空调等家用电器中,STD4NC50被用于控制电机和其他高功率组件。其稳定性和高可靠性使其在这些应用中广受欢迎。

    4. 汽车电子:在汽车电子系统中,STD4NC50用于电动助力转向系统、发动机控制单元等。其耐高温和高电压特性使其在汽车恶劣环境中依然能够可靠工作。

    5. 工业自动化:在工业控制系统和自动化设备中,STD4NC50用于驱动和控制各种执行器和电机,确保工业设备高效、稳定运行。

    二、参数特点:

    - 最大漏源电压(Vds)为500V:这意味着STD4NC50能够在高达500V的电压下正常工作,适合用于高压电路中。

    - 漏极电流(Id)为4A:STD4NC50能够承载4A的连续电流,适合用于需要中等电流承载能力的应用场景。

    - 导通电阻(Rds(on))典型值为1.3Ω:低导通电阻意味着STD4NC50在工作时能量损耗低,提高了整体电路的效率。

    - 栅源电压(Vgs)范围为±20V:宽广的栅源电压范围使STD4NC50能够在多种控制电压条件下正常工作,增加了其适应性。

    - 高开关速度:STD4NC50的高开关速度使其非常适合用于需要快速开关操作的电源管理和变换应用中,确保系统的快速响应和高效能。

    综上所述,STD4NC50凭借其出色的电气性能和广泛的应用场景,成为现代电力电子设备中不可或缺的关键器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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